[发明专利]基板处理方法、基板处理装置以及计算机可读存储介质

说明书

本发明提供一种基板处理方法、基板处理装置以及计算机可读存储介质。基板处理方法包括：从照相机取得被处理基板的端面的拍摄图像；对所述被处理基板的端面的拍摄图像进行图像处理而取得所述被处理基板的端面的形状数据；以及基于翘曲量已知的基准基板的端面的形状数据以及利用图像处理得到的所述被处理基板的端面的形状数据对所述被处理基板的翘曲量进行计算。

本申请是申请日为2017年2月22日、申请号为2017100973828、发明名称为“基板处理方法、基板处理装置”的申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及基板处理方法和基板处理装置。

背景技术

当前，在对基板(例如半导体晶圆)进行微细加工来制造半导体器件时，一般广泛地进行使用光刻技术而在基板上形成凹凸图案(例如抗蚀剂图案)的工序。在半导体晶圆上形成抗蚀剂图案的工序包括例如在晶圆的表面形成抗蚀剂膜(涂敷膜)的抗蚀剂膜形成处理、按照预定的图案对该抗蚀剂膜进行曝光的曝光处理、以及使曝光后的抗蚀剂膜和显影液反应而进行显影的显影处理。

在抗蚀剂膜形成处理中，一般而言，可采用使晶圆旋转、同时向晶圆的表面滴下抗蚀剂液的旋涂法。因此，通常在晶圆的表面整体形成抗蚀剂膜。然而，若利用输送臂输送这样的晶圆W，在输送臂把持晶圆W的周缘之际抗蚀剂膜附着于输送臂。在该情况下，后续的晶圆可能被附着到输送臂的抗蚀剂膜的残渣污染。因此，有时进行将存在于晶圆的周缘区域的抗蚀剂膜去除的周缘去除处理。

专利文献1公开了一种方法(边缘冲洗处理)作为周缘去除处理的一个例子，在该方法中，在抗蚀剂膜形成于晶圆的表面之后，使晶圆旋转、同时向抗蚀剂膜(固化膜)中的位于晶圆的周缘区域的部分(抗蚀剂膜的周缘部)供给有机溶剂，从而将抗蚀剂膜的周缘部沿着晶圆的周缘去除。专利文献2公开了一种方法(周缘曝光显影处理)作为周缘去除处理的另一例子，在该方法中，在抗蚀剂膜形成于晶圆的表面之后，从晶圆的周缘朝向内侧以预定的宽度对晶圆的周缘区域进行曝光、显影，从而将抗蚀剂膜的周缘部沿着晶圆的周缘去除。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平11-333355号公报

专利文献2：日本特开2002-158166号公报

发明内容

发明要解决的问题

不过，晶圆经由各种工序来制造，因此，存在晶圆从当初(从实施微细加工之前起)具有翘曲的情况。另外，在将抗蚀剂膜形成于晶圆的表面之际，在将抗蚀剂液涂敷于晶圆的表面之后，对晶圆进行加热处理和冷却处理。因此，有时随着热相对于晶圆的出入，晶圆就翘曲。特别是近年来，正在进行3D NAND闪存的开发。该存储器经由很多次抗蚀剂膜的形成工序来制造，因此，反复对晶圆进行加热处理和冷却处理。因此，在晶圆产生的翘曲可能极大到例如几百μm～1mm程度。

在晶圆具有翘曲的情况下，若在晶圆的处理之际使晶圆旋转，则晶圆的周缘的高度位置可变动。因此，在对晶圆的周缘进行边缘冲洗处理的情况下，该周缘与有机溶剂的供给喷嘴之间的分开距离可变动。同样地，在对晶圆的周缘进行周缘曝光显影处理的情况下，到该周缘为止的光程可变动。因而，若对具有翘曲的晶圆进行周缘去除处理(边缘冲洗处理、周缘曝光显影处理等)，则可产生这样的不良情况：抗蚀剂膜的周缘部的去除宽度沿着晶圆的周缘变得不均匀，不满足所期望的设定范围或超过该设定范围。特别是近年来，要求谋求凹凸图案的进一步的微细化、在晶圆形成的电路的进一步高集成化。因此，若存在抗蚀剂膜的周缘部的去除宽度较大的部分，则妨碍电路的向基板的高集成化。

因此，本发明说明即使是在基板具有翘曲的情况下、也可对该基板的周缘进行恰当的处理的基板处理方法和基板处理装置。