[发明专利]热熔断器及热熔断器的生产方法在审

专利信息
申请号: 202010450887.X 申请日: 2020-05-25
公开(公告)号: CN111627781A 公开(公告)日: 2020-09-04
发明(设计)人: 赵长才;管榕;谢宏芳;石炜;赵强;肖国军;林康生 申请(专利权)人: 艾默生电气(珠海)有限公司
主分类号: H01H85/143 分类号: H01H85/143;H01H85/05;H01H69/02
代理公司: 北京高文律师事务所 11359 代理人: 高超
地址: 519000 广东省珠海市高*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 熔断器 生产 方法
【权利要求书】:

1.一种热熔断器,其特征在于,包括:独立线脚和星触片;

其中,所述独立线脚、所述独立线脚的触点部分、所述星触片或所述星触片的触点部分中的至少一个的材质采用如下方式:

银氧化锡AgSnO2、银氧化锡氧化铟AgSnO2In2O3、银氧化锌AgZnO、银氧化铜氧化镍AgCuONiO、银钨AgW、银铈AgCe、银碳化钨AgWC、银石墨AgC、银镍铈AgNiCe、银铜镍AgNiCu、银镍AgNi中的任一种;或,

银氧化锡AgSnO2、银氧化锡氧化铟AgSnO2In2O3、银氧化锌AgZnO、银氧化铜氧化镍AgCuONiO中的任一种材质与银钨AgW、银铈AgCe、银碳化钨AgWC、银石墨AgC、银镍铈AgNiCe、银铜镍AgNiCu、银镍AgNi中的任一种材质的组合物;

其中,所述独立线脚或所述独立线脚的触点部分满足以下条件:

所述独立线脚中银Ag的质量对应地占所述独立线脚质量的75%-99%,或者,所述独立线脚的触点部分中银Ag的质量对应地占所述独立线脚的触点部分的质量的75%-99%;

所述独立线脚中氧化锡SnO2、氧化锡氧化铟SnO2In2O3、氧化锌ZnO或氧化铜氧化镍CuONiO的质量对应地占所述独立线脚质量的1%-25%,或者,所述独立线脚的触点部分中氧化锡SnO2、氧化锡氧化铟SnO2In2O3、氧化锌ZnO或氧化铜氧化镍CuONiO的质量对应地占所述独立线脚的触点部分的质量的1%-25%;

所述独立线脚中钨W、铈Ce、碳化钨WC、碳C、镍铈NiCe、镍铜NiCu或镍Ni的质量对应地占所述独立线脚质量的0.1%-15%,或者,所述独立线脚的触点部分中钨W、铈Ce、碳化钨WC、碳C、镍铈NiCe、镍铜NiCu或镍Ni的质量对应地占所述独立线脚的触点部分的质量的0.1%-15%;

其中,所述星触片或所述星触片的触点部分满足以下条件:

所述星触片中银Ag的质量对应地占所述星触片质量的75%-99%,或者,所述星触片的触点部分中银Ag的质量对应地占所述星触片的触点部分的质量的75%-99%;

所述星触片中氧化锡SnO2、氧化锡氧化铟SnO2In2O3、氧化锌ZnO或氧化铜氧化镍CuONiO的质量对应地占所述星触片质量的1%-25%,或者,所述星触片的触点部分中氧化锡SnO2、氧化锡氧化铟SnO2In2O3、氧化锌ZnO或氧化铜氧化镍CuONiO的质量对应地占所述星触片的触点部分的质量的1%-25%;

所述星触片中钨W、铈Ce、碳化钨WC、碳C、镍铈NiCe、镍铜NiCu或镍Ni的质量对应地占所述星触片质量的0.1%-15%,或者,所述星触片的触点部分中钨W、铈Ce、碳化钨WC、碳C、镍铈NiCe、镍铜NiCu或镍Ni的质量对应地占所述星触片的触点部分的质量的0.1%-15%。

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