[发明专利]ITO薄膜在审
| 申请号： | 202010451500.2 | 申请日： | 2020-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN111763911A | 公开（公告）日： | 2020-10-13 |
| 发明（设计）人： | 宋世金;朱刘;任丽 | 申请（专利权）人： | 先导薄膜材料（广东）有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/02;C23C14/35 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 511517 广东省清*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | ito 薄膜 | ||
【权利要求书】：
1.一种ITO薄膜，其特征在于：其包括变温缓冲层和取向生长层。
2.根据权利要求1 所述的ITO薄膜，其特征在于：所述取向生长层沿着变温缓冲层所确定的取向生长而成。
3.根据权利要求1 所述的ITO薄膜，其特征在于：所述变温缓冲层为ITO多晶薄膜同质缓冲层。
4.根据权利要求1 所述的ITO薄膜，其特征在于：所述变温缓冲层为(004)择优取向。
5.根据权利要求1 所述的ITO薄膜，其特征在于：所述变温缓冲层的厚度为20-100 nm。
6.根据权利要求1 所述的ITO薄膜，其特征在于：所述变温缓冲层在300K温度下的载流子浓度为1E18-1E22 cm-3、电子迁移率为20-50 cm2/Vs。
7.根据权利要求1 所述的ITO薄膜，其特征在于：所述变温缓冲层在300K温度下的可见光平均透过率为85%-95%。
8.根据权利要求1 所述的ITO薄膜，其特征在于：所述取向生长层的厚度为20-1000nm。
9.根据权利要求1 所述的ITO薄膜，其特征在于：所述取向生长层在300K下的载流子浓度为1E18-1E22 cm-3、电子迁移率为20-50 cm2/Vs。
10.根据权利要求1 所述的ITO薄膜，其特征在于：所述取向生长层在300K下的可见光平均透过率为85%-95%。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于先导薄膜材料（广东）有限公司，未经先导薄膜材料（广东）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010451500.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
