[发明专利]基板处理方法、基板处理装置以及计算机可读存储介质有效

专利信息
申请号: 202010451614.7 申请日: 2017-02-22
公开(公告)号: CN111580348B 公开(公告)日: 2023-04-18
发明(设计)人: 野田康朗;西山直 申请(专利权)人: 东京毅力科创株式会社
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;H01L21/66;H01L21/67
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 处理 方法 装置 以及 计算机 可读 存储 介质
【权利要求书】:

1.一种基板处理方法,其包括以下工序:

取得被处理基板的翘曲量;

基于所述被处理基板的翘曲量来决定处理液相对于所述被处理基板的周缘部的供给位置;以及

使表面形成有膜的所述被处理基板旋转,同时利用从所述供给位置供给的处理液使所述周缘部上的所述膜溶解而从所述被处理基板上去除。

2.根据权利要求1所述的基板处理方法,还包括以下工序:

在所述被处理基板的周缘整周上利用照相机对所述被处理基板的端面进行拍摄,并取得拍摄图像;以及

对所述拍摄图像进行图像处理,在所述被处理基板的周缘整周上取得所述被处理基板的端面的形状数据,

其中,取得所述被处理基板的翘曲量的工序包括:基于翘曲量已知的基准基板的端面的形状数据以及利用图像处理得到的所述被处理基板的端面的形状数据对所述被处理基板的翘曲量进行计算。

3.根据权利要求1或2所述的基板处理方法,其中,

决定所述供给位置的工序包括:基于所述被处理基板的周缘的翘曲量的平均值决定所述供给位置。

4.根据权利要求1或2所述的基板处理方法,其中,

去除所述膜的工序包括:利用基于所述被处理基板的翘曲量调节流量后的所述处理液去除所述周缘部上的所述膜。

5.根据权利要求1或2所述的基板处理方法,其中,

所述膜为抗蚀膜,所述处理液为有机溶剂。

6.一种基板处理装置,其具备:

旋转保持部,其构成为保持被处理基板并使该被处理基板旋转;

处理液供给部,其构成为向所述被处理基板的表面供给处理液;以及

控制部,

其中,所述控制部构成为执行以下处理:

取得被处理基板的翘曲量;

基于所述被处理基板的翘曲量来决定处理液相对于所述被处理基板的周缘部的供给位置;以及

控制所述旋转保持部以使表面形成有膜的所述被处理基板旋转,同时控制所述处理液供给部以从所述供给位置供给处理液,由此使所述周缘部上的所述膜溶解而从所述被处理基板上去除。

7.根据权利要求6所述的基板处理装置,其中,

还具备照相机,该照相机构成为在所述被处理基板的周缘整周上对所述被处理基板的端面进行拍摄,并取得拍摄图像;

所述控制部构成为还执行以下处理:对所述拍摄图像进行图像处理,在所述被处理基板的周缘整周上取得所述被处理基板的端面的形状数据,

取得所述被处理基板的翘曲量的所述处理包括:基于翘曲量已知的基准基板的端面的形状数据以及利用图像处理得到的所述被处理基板的端面的形状数据对所述被处理基板的翘曲量进行计算。

8.根据权利要求6或7所述的基板处理装置,其中,

决定所述供给位置的所述处理包括:基于所述被处理基板的周缘的翘曲量的平均值决定所述供给位置。

9.根据权利要求6或7所述的基板处理装置,其中,

去除所述膜的所述处理包括:控制所述处理液供给部以基于所述被处理基板的翘曲量调节所述处理液的流量,由此去除所述周缘部上的所述膜。

10.根据权利要求6或7所述的基板处理装置,其中,

所述膜为抗蚀膜,所述处理液为有机溶剂。

11.一种计算机可读存储介质,记录有用于使基板处理装置执行根据权利要求1~5中的任一项所述的基板处理方法的程序。

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