[发明专利]一种In2

权利要求书

1.一种In₂Te₅单晶的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

将金属In和单质Te混合，得到混合原料；所述金属In和单质Te的摩尔比为1:5～10；

将所述混合原料在真空条件下进行合成反应，所述合成反应的温度为720～750K；然后将反应所得体系降温至670～700K进行固液分离，得到In₂Te₅单晶。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述合成反应的保温时间为15～30h。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述降温的时间为30～80h。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述固液分离后，还包括将所得固体产物浸泡于氢氧化钾溶液中，对得到的固体进行清洗和烘干。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，将所述混合原料在真空条件下进行合成反应的过程包括：将所述混合原料转移到石英管中，将石英管抽真空后，采用氢氧焰进行封结，将封结后的石英管置于合成炉中，进行合成反应。