[发明专利]切割带、及切割芯片接合薄膜

说明书

提供切割带及切割芯片接合薄膜。提供切割带等，所述切割带具备基材层、和与该基材层重叠的粘合剂层，前述粘合剂层包含丙烯酸类聚合物，前述丙烯酸类聚合物包含(甲基)丙烯酸C9～C11烷基酯的构成单元和含羟基(甲基)丙烯酸酯的构成单元，前述丙烯酸类聚合物包含前述(甲基)丙烯酸C9～C11烷基酯的构成单元40mol％以上且85mol％以下。

技术领域

本发明涉及例如在制造半导体集成电路时使用的切割带、及具备该切割带的切割芯片接合薄膜。

背景技术

以往以来，已知有在半导体集成电路的制造中使用的切割芯片接合薄膜。这种切割芯片接合薄膜例如具备切割带和层叠于该切割带并且与晶圆粘接的芯片接合层。切割带具有基材层、和与芯片接合层接触的粘合层。这种切割芯片接合薄膜在半导体集成电路的制造中例如如下所述地来使用。

制造半导体集成电路的方法通常具备：通过高集成的电子电路在硅晶圆的单面侧形成电路面的前工序、和从形成有电路面的晶圆将芯片切出并进行组装的后工序。

后工序例如具有如下工序：安装工序，将晶圆的与电路面处于相反侧的面贴附于芯片接合层，将晶圆固定于切割带；切割工序，通过割断处理将借助芯片接合层贴附于切割带的半导体晶圆加工成小的芯片(die)；扩展工序，使加工为较小的半导体芯片彼此的间隔扩大；拾取工序，将芯片接合层与粘合剂层之间剥离，在贴附有芯片接合层的状态下取出半导体芯片(die)；和芯片接合工序，使贴附有芯片接合层的状态的半导体芯片(die)粘接于被粘物。半导体集成电路经过这些工序来制造。

上述的制造方法的拾取工序中，被割断的半导体芯片和与其密合的相当于芯片尺寸的芯片接合层一起被拾取机构的销构件从切割带的下侧顶起，并从切割带被拾取。

但是，近年来，随着半导体制品的轻薄化及高集成化，半导体晶圆的厚度与从前相比变薄。若使用这样的半导体晶圆，则更容易产生半导体晶圆因拾取工序中的上述的顶起而发生变形从而破损的问题。为了防止这样的破损，对切割带要求在割断后即使以少的顶起量也能够从芯片接合薄膜良好地剥离的性能、即良好的拾取性。

对此，作为以往的切割芯片接合薄膜，例如，已知具备由包含基础聚合物和热交联剂的粘合剂组合物形成的粘合剂层(专利文献1)。

对于专利文献1中记载的切割芯片接合薄膜，粘合剂层是加热前的凝胶率不足90质量％并且加热后的凝胶率变化为90质量％以上的层。通过加热而凝胶率成为90质量％以上的粘合剂层可容易地与芯片接合层剥离。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2010-278427号公报

发明内容

发明要解决的问题

但是，对于如上所述的能够使拾取性良好的切割芯片接合薄膜、切割带，还不能说进行了充分的研究。

因此，本发明的课题在于，提供能够使拾取性良好的切割带、及能够使拾取性良好的切割芯片接合薄膜。

用于解决问题的方案

为了解决上述课题，本发明的切割带的特征在于，

具备：基材层、和与该基材层重叠的粘合剂层，

前述粘合剂层包含丙烯酸类聚合物，

前述丙烯酸类聚合物包含(甲基)丙烯酸C9～C11烷基酯的构成单元和含羟基(甲基)丙烯酸酯的构成单元，

前述丙烯酸类聚合物包含前述(甲基)丙烯酸C9～C11烷基酯的构成单元40mol％以上且85mol％以下。

利用上述构成的切割带，能够发挥良好的拾取性。