[发明专利]一种稀土掺杂钙钛矿纳米晶、其制备方法及光电探测器

权利要求书

1.一种稀土掺杂钙钛矿纳米晶，其特征在于，所述的稀土掺杂钙钛矿纳米晶是以CsPbX₃钙钛矿纳米晶为基质材料，并通过Yb³⁺离子和金属离子掺杂CsPbX₃钙钛矿纳米晶的Pb位得到的；所述CsPbX₃钙钛矿纳米晶的X位为Cl、Br和I中的一种；所述的金属离子为Cr³⁺。

2.根据权利要求1所述的一种稀土掺杂钙钛矿纳米晶，其特征在于，所述的稀土掺杂钙钛矿纳米晶中，Yb³⁺离子的质量分数为6%~10%，金属离子的质量分数为6%~10%。

3.根据权利要求1所述的一种稀土掺杂钙钛矿纳米晶，其特征在于，所述的稀土掺杂钙钛矿纳米晶中，Yb³⁺离子的质量分数为8.4%，金属离子的质量分数为8.2%。

4.根据权利要求1所述的一种稀土掺杂钙钛矿纳米晶，其特征在于，所述CsPbX₃钙钛矿纳米晶的X位为Cl。

5.一种如权利要求1~4中任一项所述的稀土掺杂钙钛矿纳米晶的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

将碳酸铯、十八烯和油酸混在一起，并进行加热搅拌，得到油酸铯前驱体溶液；

将卤化铅、油酸、油胺、十八烯、Yb³⁺离子和金属离子混在一起，并加热至110~130℃进行搅拌，得到混合溶液；

在200~240℃的温度下，将上述混合溶液与上述油酸铯前驱体溶液进行混合反应后，再进行冷却、离心分离，得到所述的稀土掺杂钙钛矿纳米晶。

6.一种如权利要求5所述的制备方法制得的稀土掺杂钙钛矿纳米晶。

7.根据权利要求6所述的一种稀土掺杂钙钛矿纳米晶，其特征在于，所述稀土掺杂钙钛矿纳米晶的平均粒径为8~12nm。

8.一种光电探测器，包括：

电极层；

设置在所述电极层上的探测器芯片；其特征在于：

所述探测器芯片上部分或全部涂覆有如权利要求1~4和权利要求6~7中任一项所述的稀土掺杂钙钛矿纳米晶。

9.根据权利要求8所述的一种光电探测器，其特征在于，所述的探测器芯片为Si基探测器芯片或InGaAs基探测器芯片。