[发明专利]显示基板、显示装置及制作方法在审
申请号: | 202010455790.8 | 申请日: | 2020-05-26 |
公开(公告)号: | CN111584596A | 公开(公告)日: | 2020-08-25 |
发明(设计)人: | 王琳琳 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09F9/30 |
代理公司: | 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) 11348 | 代理人: | 赵洋;刘铁生 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 显示装置 制作方法 | ||
1.一种显示基板,其特征在于,其包括:
TFT基板;
像素界定层,所述像素界定层设置在所述TFT基板上,且围成若干像素坑;
其中,每个所述像素坑内依次层叠设有电致发光器件层、连接层、第一封装层以及量子点层,且相邻所述像素坑内的所述连接层在所述像素界定层背离所述TFT基板的一侧相接,用于电连接相邻两所述像素坑内的所述电致发光器件层。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于:
所述像素界定层在第一方向上的尺寸大于等于所述电致发光器件层、所述第一封装层以及所述量子点层在所述第一方向上的尺寸之和;
其中,所述第一方向为由所述TFT基板指向所述量子点层的方向。
3.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于:
所述像素界定层的材质为定向热膨胀材料。
4.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于:
还包括彩膜层和第二封装层;
所述彩膜层设置在所述量子点层和所述连接层背离所述TFT基板一侧;其中,所述连接层为裸露于所述像素界定层背离所述TFT基板一侧的连接层;
所述第二封装层设置在所述彩膜层背离所述TFT基板的一侧。
5.一种显示装置,其特征在于,其包括:
权利要求1-4任一所述的显示基板。
6.一种基于权利要求1-4任一所述的显示基板的制作方法,其特征在于,其包括如下步骤:
制作TFT基板;
在所述TFT基板上制作像素界定层,并围成若干像素坑;
在所述像素界定层背离所述TFT基板的一侧设置电致发光器件层;
增大所述像素界定层在第一方向上的尺寸,所述第一方向为由所述TFT基板指向所述像素界定层的方向;
在每个所述像素坑内的所述电致发光器件层背离所述TFT基板的一侧依次层叠设置连接层、第一封装层以及量子点层,且相邻所述像素坑内的所述连接层在所述像素界定层背离所述TFT基板的一侧相接。
7.根据权利要求6所述的显示基板的制作方法,其特征在于,所述增大每个所述像素坑在第一方向上的尺寸,所述第一方向为由所述TFT基板指向所述像素界定层的方向的步骤,包括:
激光照射所述像素界定层背离所述TFT基板的一侧覆盖的所述电致发光器件层,消除所述像素界定层背离所述TFT基板的一侧覆盖的所述电致发光器件层,使所述像素界定层向背离所述TFT基板的方向膨胀至预设尺寸。
8.根据权利要求7所述的显示基板的制作方法,其特征在于,所述激光照射所述像素界定层背离所述TFT基板的一侧覆盖的所述电致发光器件层,消除所述像素界定层背离所述TFT基板的一侧覆盖的所述电致发光器件层,使所述像素界定层向背离所述TFT基板的方向膨胀至预设尺寸的步骤中:
所述像素界定层的材料为定向热膨胀材料。
9.根据权利要求8所述的显示基板的制作方法,其特征在于,所述在所述TFT基板上制作像素界定层,并围成若干像素坑的步骤,具体为
通过喷墨打印的方式在所述TFT基板上设置所述像素界定层。
10.根据权利要求6所述的显示基板的制作方法,其特征在于,所述在每个所述像素坑内的所述电致发光器件层背离所述TFT基板的一侧依次层叠设置连接层、第一封装层以及量子点层,且相邻所述像素坑内的所述连接层在所述像素界定层背离所述TFT基板的一侧相接的步骤,之后还包括
在所述量子点层背离所述TFT基板的一侧依次层叠设置彩膜层和第二封装层。
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