[发明专利]一种氮化铝/硅/电可调磁性膜压电驱动结构及其制备方法

权利要求书

1.一种氮化铝/硅/电可调磁性膜压电驱动结构，其特征在于：包括压电驱动层（1）、硅结构层（2）和电可调磁性膜（3），所述压电驱动层（1）和电可调磁性膜（3）分别位于硅结构层（2）的上、下表面，所述压电驱动层（1）自下而上依次设有包括底电极（11）、氮化铝层（12）和顶电极（13），当调控磁场时，在底电极（11）和顶电极（13）之间加载交流电压信号，氮化铝层（12）中产生交流驱动电场并在应力轴方向产生周期性的应变，带动硅结构层（2）产生周期性应变，应变传递至电可调磁性膜（3），电可调磁性膜（3）的磁导率发生周期性变化，实现对磁场的调控；

所述底电极（11）为直接生长在硅结构层（2）上的金属层；所述氮化铝层（12）为直接生长底电极（11）上的氮化铝；所述顶电极（13）为直接生长氮化铝层（12）上的金属层；所述电可调磁性膜（3）采用具有高磁致伸缩系数的软磁材料制备而成。

2.根据权利要求1所述的氮化铝/硅/电可调磁性膜压电驱动结构，其特征在于：所述硅结构层（2）包括硅基底层（21）和分别位于硅基底层（21）上下表面的绝缘层（22）。

3.根据权利要求1所述的氮化铝/硅/电可调磁性膜压电驱动结构，其特征在于：所述底电极（11）采用Cr或Mo制备而成。

4.根据权利要求1所述的氮化铝/硅/电可调磁性膜压电驱动结构，其特征在于：所述氮化铝层（12）为（002）晶向。

5.根据权利要求1所述的氮化铝/硅/电可调磁性膜压电驱动结构，其特征在于：所述顶电极（13）采用Cr或Mo或Au制备而成。

6.一种根据权利要求1至5中任一项所述的氮化铝/硅/电可调磁性膜压电驱动结构的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

将硅基底层（21）的上下表面分别沉积绝缘层（22），得到硅结构层（2），在硅结构层（2）一面依次顺序沉积底电极（11）、氮化铝层（12）和顶电极（13），在硅结构层（2）的另一面沉积电可调磁性膜（3）。