[发明专利]一种铁磁/石墨烯外延界面及其低温制备方法有效
| 申请号： | 202010456078.X | 申请日： | 2020-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN111519186B | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 潘孟春;邱伟成;胡佳飞;李裴森;彭俊平;吴瑞楠;胡悦国 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科技大学 |
| 主分类号： | C23C28/00 | 分类号： | C23C28/00;C23C16/505;C23C16/26;C23C14/58;C23C14/18;H01L29/16;H01L29/165;H01L43/10 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人： | 张丽娟 |
| 地址： | 410073 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 外延 界面 及其 低温 制备 方法 | ||
1.一种铁磁/石墨烯外延界面的低温制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
S1、在绝缘基底上生长具有六角对称晶格属性的铁磁薄膜，所述绝缘基底为与铁磁薄膜晶格对称性一致的基底；
S2、对铁磁薄膜依次进行退火处理和表面还原处理，得到活性单晶薄膜；所述退火处理的温度为800～1000℃；
S3、将活性单晶薄膜置于等离子体化学气相沉积系统中，通入含有碳源的前驱体，在550～850℃、等离子功率为50～100W的条件下，借助活性单晶薄膜表面势能的诱导，在活性单晶薄膜上外延生长石墨烯，关闭等离子体和停止前驱体的通入，降温冷却，得到铁磁/石墨烯外延界面。
2.根据权利要求1所述的低温制备方法，其特征在于：所述步骤S3中，所述含有碳源的前驱体为甲烷与氢气的混合气体，所述甲烷和氢气的流速比为1∶1；外延生长石墨烯的压强为1～10Pa。
3.根据权利要求2所述的低温制备方法，其特征在于：外延生长石墨烯的时间为15～60s。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的低温制备方法，其特征在于：所述步骤S1中，所述铁磁薄膜为镍薄膜或钴薄膜。
5.根据权利要求4所述的低温制备方法，其特征在于：所述绝缘基底为Al2O3(0001)或YSZ(111)。
6.根据权利要求5所述的低温制备方法，其特征在于，采用电子束蒸发法或磁控溅射法在绝缘基底上生长铁磁薄膜。
7.根据权利要求4所述的低温制备方法，其特征在于：所述步骤S2中，所述表面还原处理的气体为氢气或氢气和惰性气体的混合气体。
8.一种铁磁/石墨烯外延界面，其特征在于：所述铁磁/石墨烯外延界面根据权利要求1至7中任一项所述低温制备方法制备得到，所述铁磁/石墨烯外延界面上石墨烯的层数为1～10层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国人民解放军国防科技大学，未经中国人民解放军国防科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010456078.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
