[发明专利]基于近场辐射的可调控换热器件构造方法及系统

权利要求书

1.一种基于近场辐射的可调控换热器件构造方法，其特征在于，包括：

步骤S1：搭建换热器件主体部分；采用温度监测传感器和电压调控器作为测试调控传感器；

步骤S2：通过调控施加在石墨烯上的电压大小，调控换热器件的反馈换热；

步骤S3：选择石墨烯和双曲超材料六方氮化硼搭建可调控换热器件；

步骤S4：采用近场热辐射的散热机理搭建可调控换热器件；

步骤S5：控制近场间距，获取基于近场辐射的可调控换热器件。

2.根据权利要求1所述的基于近场辐射的可调控换热器件构造方法，其特征在于，所述步骤S1包括：

步骤S1.1：采用石墨烯和六方氮化硼复合结构搭建换热器件主体部分；

步骤S1.2：将温度检测传感器安装在可调控换热器件的热源端；

步骤S1.3：可调控换热器件的热沉端代表将近场热辐射接收的大量热量通过导热输出装置，冷源端代表外界冷端；

步骤S1.4:设置所述可调控换热器件整体尺寸在1cm*1cm*0.5cm量级。

3.根据权利要求1所述的基于近场辐射的可调控换热器件构造方法，其特征在于，

所述步骤S2包括：

步骤S2.1:所述可调控换热器件通过在石墨烯两端施加电压，改变石墨烯的化学势能，将表面等离激元的激发波段和强度发生调控改变；

步骤S2.2:将可调控换热器件通过在石墨烯两端施加的电压调节大小的范围设置为0-15V，所述石墨烯对应的调节温差最大值为50摄氏度。

4.根据权利要求1所述的基于近场辐射的可调控换热器件构造方法，其特征在于，

所述步骤S3包括：

步骤S3.1：所述可调控换热器件采用机械剥离的单晶双层石墨烯；

步骤S3.2:所述可调控换热器件选择设定的双曲超材料六方氮化硼。

5.根据权利要求1所述的基于近场辐射的可调控换热器件构造方法，其特征在于，

所述步骤S5包括：

步骤S5.1：将所述可调控换热器件的超近场间距控制在50nm到1.5μm之间。

6.一种基于近场辐射的可调控换热器件构造系统，其特征在于，包括：

模块M1：搭建换热器件主体部分；采用温度监测传感器和电压调控器作为测试调控传感器；

模块M2：通过调控施加在石墨烯上的电压大小，调控换热器件的反馈换热；

模块M3：选择石墨烯和双曲超材料六方氮化硼搭建可调控换热器件；

模块M4：采用近场热辐射的散热机理搭建可调控换热器件；

模块M5：控制近场间距，获取基于近场辐射的可调控换热器件。

7.根据权利要求6所述的基于近场辐射的可调控换热器件构造系统，其特征在于，所述模块M1包括：

模块M1.1：采用石墨烯和六方氮化硼复合结构搭建换热器件主体部分；

模块M1.2：将温度检测传感器安装在可调控换热器件的热源端；

模块M1.3：可调控换热器件的热沉端代表将近场热辐射接收的大量热量通过导热输出装置，冷源端代表外界冷端；

模块M1.4:设置所述可调控换热器件整体尺寸在1cm*1cm*0.5cm量级。

8.根据权利要求6所述的基于近场辐射的可调控换热器件构造系统，其特征在于，

所述模块M2包括：

模块M2.1:所述可调控换热器件通过在石墨烯两端施加电压，改变石墨烯的化学势能，将表面等离激元的激发波段和强度发生调控改变；

模块M2.2:将可调控换热器件通过在石墨烯两端施加的电压调节大小的范围设置为0-15V，所述石墨烯对应的调节温差最大值为50摄氏度。

9.根据权利要求6所述的基于近场辐射的可调控换热器件构造系统，其特征在于，

所述模块M3包括：

模块M3.1：所述可调控换热器件采用机械剥离的单晶双层石墨烯；

模块M3.2:所述可调控换热器件选择设定的双曲超材料六方氮化硼。

10.根据权利要求6所述的基于近场辐射的可调控换热器件构造系统，其特征在于，

所述模块M5包括：

模块M5.1：将所述可调控换热器件的超近场间距控制在50nm到1.5μm之间。