[发明专利]数据写入方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元

权利要求书

1.一种数据写入方法，用于可复写式非易失性存储器模块，所述可复写式非易失性存储器模块包括多个实体单元，所述多个实体单元包括第一实体单元与第二实体单元，所述数据写入方法包括：

将第一类数据以第一写入速度写入所述第一实体单元；以及

将第二类数据以第二写入速度写入所述第二实体单元，

其中所述第一类数据不同于所述第二类数据，且所述第一写入速度不同于所述第二写入速度。

2.根据权利要求1所述的数据写入方法，其中所述第一写入速度大于所述第二写入速度。

3.根据权利要求1所述的数据写入方法，其中所述多个实体单元至少被划分为存储区与系统区，其中将所述第一类数据以所述第一写入速度写入所述第一实体单元的步骤包括：

将所述第一类数据写入属于所述存储区的所述第一实体单元，

将所述第二类数据以所述第二写入速度写入所述第二实体单元的步骤包括：

将所述第二类数据写入属于所述系统区的所述第二实体单元。

4.根据权利要求3所述的数据写入方法，其中所述第一类数据包括来自主机系统的使用者数据，且所述第二类数据包括用于管理所述可复写式非易失性存储器模块的管理数据。

5.根据权利要求4所述的数据写入方法，其中所述管理数据用于所述可复写式非易失性存储器模块的损耗平衡操作、坏块管理操作及映射表维护操作的其中之一。

6.根据权利要求2所述的数据写入方法，其中所述第一写入速度与所述第二写入速度至少相差五倍。

7.根据权利要求1所述的数据写入方法，其中将所述第一类数据以所述第一写入速度写入所述第一实体单元的步骤包括：

使用第一时脉频率来将所述第一类数据以所述第一写入速度写入所述第一实体单元，

将所述第二类数据以所述第二写入速度写入所述第二实体单元的步骤包括：

使用第二时脉频率来将所述第二类数据以所述第二写入速度写入所述第二实体单元，其中所述第一时脉频率不同于所述第二时脉频率。

8.一种存储器存储装置，包括：

连接接口单元，用以连接至主机系统；

可复写式非易失性存储器模块，包括多个实体单元，所述多个实体单元包括第一实体单元与第二实体单元；以及

存储器控制电路单元，连接至所述连接接口单元与所述可复写式非易失性存储器模块，

其中所述存储器控制电路单元用将第一类数据以第一写入速度写入所述第一实体单元，

所述存储器控制电路单元还用以将第二类数据以第二写入速度写入所述第二实体单元，

其中所述第一类数据不同于所述第二类数据，且所述第一写入速度不同于所述第二写入速度。

9.根据权利要求8所述的存储器存储装置，其中所述第一写入速度大于所述第二写入速度。

10.根据权利要求8所述的存储器存储装置，其中所述多个实体单元至少被划分为存储区与系统区，其中所述存储器控制电路单元将所述第一类数据以所述第一写入速度写入所述第一实体单元的操作包括：

将所述第一类数据写入属于所述存储区的所述第一实体单元，

所述存储器控制电路单元将所述第二类数据以所述第二写入速度写入所述第二实体单元的操作包括：

将所述第二类数据写入属于所述系统区的所述第二实体单元。

11.根据权利要求10所述的存储器存储装置，其中所述第一类数据包括来自所述主机系统的使用者数据，且所述第二类数据包括用于管理所述可复写式非易失性存储器模块的管理数据。

12.根据权利要求11所述的存储器存储装置，其中所述管理数据用于所述可复写式非易失性存储器模块的损耗平衡操作、坏块管理操作及映射表维护操作的其中之一。