[发明专利]集成电路、半导体装置在审
申请号: | 202010456984.X | 申请日: | 2020-05-26 |
公开(公告)号: | CN112187224A | 公开(公告)日: | 2021-01-05 |
发明(设计)人: | 荒木龙 | 申请(专利权)人: | 富士电机株式会社 |
主分类号: | H03K5/133 | 分类号: | H03K5/133 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 邓晔;宋俊寅 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 集成电路 半导体 装置 | ||
1.一种集成电路,是对开关电路的第2开关元件进行开关的集成电路,该开关电路包含串联连接的电源侧的第1开关元件及接地侧的所述第2开关元件、与所述第1开关元件并联连接的第1回流二极管、及与所述第2开关元件并联连接的第2回流二极管,该集成电路的特征在于,包含:
检测电路,该检测电路检测出流过所述开关电路的负载的负载电流;及
驱动电路,该驱动电路在驱动信号为一个逻辑电平时,根据所述负载电流的大小来控制对所述第2开关元件的栅极电容进行充电的电流的大小,在所述驱动信号为另一个逻辑电平时,使所述第2开关元件截止。
2.如权利要求1所述的集成电路,其特征在于,
所述驱动电路包含:
电流生成电路,该电流生成电路基于所述检测电路的检测结果,生成随着所述负载电流的减少而变小的源极电流;及
第1开关,该第1开关在所述驱动信号为所述一个逻辑电平时,将所述源极电流提供给所述第2开关元件的控制电极。
3.如权利要求1或2所述的集成电路,其特征在于,
包含第2开关,该第2开关在所述驱动信号成为所述另一个逻辑电平时,对所述第2开关元件的控制电极施加接地电压。
4.如权利要求1至3的任一项所述的集成电路,其特征在于,
所述检测电路是基于规定定时对与所述负载电流对应的电压进行采样并保持的采样保持电路。
5.如权利要求1所述的集成电路,其特征在于,
所述检测电路是在第1定时对与所述负载电流对应的电压进行采样并保持的采样保持电路,
所述驱动电路包含:
比较电路,该比较电路将与所述负载电流对应的第1电压与所述采样保持电路所保持的第2电压的大小进行比较;
保持电路,该保持电路在第2定时对所述比较电路的比较结果进行保持;
电流生成电路,该电流生成电路生成源极电流,该源极电流在表示所述第1电压大于所述第2电压的所述比较结果保持于所述保持电路时变大,在表示所述第1电压小于所述第2电压的所述比较结果保持于所述保持电路时变小;及
开关,该开关在所述驱动信号为所述一个逻辑电平时,将所述源极电流提供给所述第2开关元件的控制电极。
6.如权利要求1至5的任一项所述的集成电路,其特征在于,
还包含滤波器,该滤波器抑制与所述负载电流对应的电压的噪声并将该电压输出到所述检测电路。
7.如权利要求1至6的任一项所述的集成电路,其特征在于,
所述第1开关元件及所述第2开关元件分别为绝缘栅型双极晶体管。
8.如权利要求1至6的任一项所述的集成电路,其特征在于,
所述第1开关元件及所述第2开关元件分别是MOS晶体管,
所述第1回流二极管及所述第2回流二极管分别是所述MOS晶体管的体二极管。
9.一种半导体装置,该半导体装置包含:
开关电路,该开关电路包含串联连接的电源侧的第1开关元件及接地侧的第2开关元件、与所述第1开关元件并联连接的第1回流二极管、及与所述第2开关元件并联连接的第2回流二极管;及
集成电路,该集成电路对所述开关电路的所述第2开关元件进行开关,该半导体装置的特征在于,
所述集成电路包含:
检测电路,该检测电路检测出流过所述开关电路的负载的负载电流;及
驱动电路,该驱动电路在驱动信号为一个逻辑电平时,根据所述负载电流的大小来控制对所述第2开关元件的栅极电容进行充电的电流的大小,在所述驱动信号为另一个逻辑电平时,使所述第2开关元件截止。
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