[发明专利]半导体封装

权利要求书

1.一种半导体封装，包括：

第一钝化层，包括第一下焊盘和第二下焊盘，所述第一下焊盘和所述第二下焊盘与一个或多个第一凸块形成电连接，所述第一钝化层包括第一背金属和第二背金属；

衬底层，包括第二钝化层和硅层，所述衬底层形成在所述第一钝化层上；

后道工序BEOL层，包括多个金属层，所述BEOL层形成在所述衬底层上；以及

形成在所述BEOL层上的第三钝化层，所述第三钝化层包括第一上焊盘和第二上焊盘，所述第一上焊盘和所述第二上焊盘与一个或多个第二凸块形成电连接，以及

所述衬底层还包括：

第一信号硅通孔TSV，被配置成通过所述第一背金属在所述BEOL层与所述第一下焊盘之间传输第一信号；

第二信号TSV，被配置成通过所述第二背金属在所述BEOL层与所述第二下焊盘之间传输第二信号；以及

接地TSV，设置在所述第一信号TSV与所述第二信号TSV之间，所述接地TSV包括连接到所述BEOL层的所述接地TSV的第一端和被配置成浮置的所述接地TSV的第二端。

2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述一个或多个第一凸块未物理地连接到所述接地TSV。

3.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，

所述第一钝化层还包括与所述接地TSV的下部重叠的第三背金属；以及

所述第三背金属不与所述一个或多个第一凸块形成电连接。

4.根据权利要求3所述的半导体封装，其中，所述接地TSV的所述第二端与所述第三背金属形成电连接。

5.根据权利要求3所述的半导体封装，其中，所述接地TSV被形成为从所述BEOL层延伸到所述第三背金属的上表面。

6.根据权利要求3所述的半导体封装，其中，所述接地TSV的所述第二端不与所述第三背金属形成电连接。

7.根据权利要求3所述的半导体封装，其中，所述接地TSV被形成为从所述BEOL层延伸到所述第二钝化层。

8.根据权利要求3所述的半导体封装，其中，所述接地TSV被形成为从所述BEOL层延伸到所述硅层。

9.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第一钝化层不包括与所述接地TSV的下部重叠的背金属。

10.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，

所述多个金属层包括第一金属；以及

所述接地TSV的所述第一端与所述第一金属形成电连接。

11.一种半导体封装，包括：

第一钝化层，包括第一下焊盘和第二下焊盘，所述第一钝化层与一个或多个第一凸块形成电连接；

形成在所述第一钝化层上的衬底层；以及

形成在所述衬底层上的后道工序BEOL层，

所述衬底层包括：

第一信号硅通孔TSV，被配置成在所述第一下焊盘与所述BEOL层之间传输第一信号；

第二信号TSV，被配置成在所述第二下焊盘与所述BEOL层之间传输第二信号；以及

至少一个接地TSV，所述至少一个接地TSV未物理地连接到所述第一凸块。

12.根据权利要求11所述的半导体封装，其中，所述至少一个接地TSV包括连接到所述BEOL层的第一端和被配置成浮置的第二端。

13.根据权利要求11所述的半导体封装，其中，在所述衬底层的水平横截面中，所述至少一个接地TSV设置在所述第一信号TSV与所述第二信号TSV之间。