[发明专利]一种基于WB芯片的双面挖腔陶瓷封装工艺

权利要求书

1.一种基于WB芯片的双面挖腔陶瓷封装工艺，其特征在于：在陶瓷基板两侧面的芯片贴装位置进行预先挖腔，封装时将WB芯片分别沉到相应的陶瓷腔里并与陶瓷基板连接，连接后进行底面封帽和顶面封帽，在陶瓷基板底面焊接引脚并弯曲成型，完成封装。

2.根据权利要求1所述的一种基于WB芯片的双面挖腔陶瓷封装工艺，其特征在于：所述封装工艺具体包括如下步骤：

S100、挖腔，在陶瓷基板两侧面的芯片贴装位置进行挖腔；

S200、焊接可伐环，在陶瓷基板上的焊接区上焊接可伐环；

S300、绝缘，对同一侧面的腔体之间进行绝缘密封；

S400、贴装，将WB芯片分别沉到相应的陶瓷腔里并进行固定；

S500、导通，将WB芯片与陶瓷基板导通；

S600、封帽，对陶瓷基板进行底面封帽和顶面封帽；

S700、焊接引脚，在陶瓷基板底面焊接引脚并弯曲成型。

3.根据权利要求2所述的一种基于WB芯片的双面挖腔陶瓷封装工艺，其特征在于：所述步骤S100中的挖腔具体为先将各生瓷片通过激光或者机械冲制在相应位置开出槽，再将各层生瓷片叠加在一起进行烧结，该相应位置的槽在叠加一起之后形成了腔体。

4.根据权利要求2所述的一种基于WB芯片的双面挖腔陶瓷封装工艺，其特征在于：所述步骤S200中的焊接区的宽度为1.5～2.0mm。

5.根据权利要求2所述的一种基于WB芯片的双面挖腔陶瓷封装工艺，其特征在于：所述步骤S400中的贴装具体为将WB芯片使用银胶粘接在陶瓷基板的腔体中，芯片粘接精度控制在±35um以内。

6.根据权利要求2所述的一种基于WB芯片的双面挖腔陶瓷封装工艺，其特征在于：所述步骤S500中的导通具体为使用金线或者铝线将WB芯片上的信号和陶瓷基板的引脚通过键合的方式完成连接。

7.根据权利要求2所述的一种基于WB芯片的双面挖腔陶瓷封装工艺，其特征在于：所述用于贴装WB芯片的挖腔深度为0.4～0.6mm。

8.根据权利要求2所述的一种基于WB芯片的双面挖腔陶瓷封装工艺，其特征在于：所述陶瓷基板上侧面设有至少两个挖腔结构。

9.根据权利要求2所述的一种基于WB芯片的双面挖腔陶瓷封装工艺，其特征在于：所述步骤S600中的底面封帽具体为使用金锡焊料将下盖板通过合金熔封的方式焊接在陶瓷基板的焊接区，完成陶瓷基板底部封帽。

10.根据权利要求2所述的一种基于WB芯片的双面挖腔陶瓷封装工艺，其特征在于：所述步骤S600中的顶面封帽具体为平行缝焊的方式将上盖板焊接在可伐环的顶部，完成陶瓷基板顶部封帽。