[发明专利]台阶结构的制作方法及振动检测装置

权利要求书

1.一种台阶结构的制作方法，其特征在于，包括：

在晶圆的第一表面上湿法刻蚀出凹坑结构，所述凹坑结构包括与所述晶圆的第一表面具有高度落差的底面；

在刻蚀出所述凹坑结构的所述晶圆的第一表面和所述凹坑结构上制作图形化掩膜层，所述图形化掩膜层形成至少暴露所述凹坑结构边缘的开口；

经由所述图形化掩膜层干法刻蚀所述晶圆，获得所述台阶结构。

2.根据权利要求1所述的台阶结构的制作方法，其特征在于，

所述湿法刻蚀为各向异性湿法刻蚀。

3.根据权利要求2所述的台阶结构的制作方法，其特征在于，

所述各向异性湿法刻蚀采用氢氧化钾刻蚀液。

4.根据权利要求1所述的台阶结构的制作方法，其特征在于，

所述图形化掩膜层为第一图形化光刻胶层。

5.根据权利要求4所述的台阶结构的制作方法，其特征在于，

所述图形化掩膜层包括硅氧化物或硅氮化物。

6.根据权利要求5所述的台阶结构的制作方法，其特征在于，制作所述图形化掩膜层的步骤包括：

在刻蚀出所述凹坑结构的所述晶圆的第一表面和所述凹坑结构上采用化学气相淀积法淀积硅氧化物或硅氮化物，以获得硅氧化物层或硅氮化物层；

在所述硅氧化物层或所述硅氮化物层上制作第二图形化光刻胶层；

以所述第二图形化光刻胶层为掩膜刻蚀所述硅氧化物层或所述硅氮化物层，以获得所述图形化掩膜层。

7.根据权利要求6所述的台阶结构的制作方法，其特征在于，

所述图形化掩膜层还包括所述第二图形化光刻胶层。

8.根据权利要求6所述的台阶结构的制作方法，其特征在于，

在以所述第二图形化光刻胶层为掩膜刻蚀所述硅氧化物层或所述硅氮化物层后，清洗去除所述第二图形化光刻胶层。

9.根据权利要求6所述的台阶结构的制作方法，其特征在于，

所述第一图形化光刻胶层或所述第二图形化光刻胶层的光刻胶涂敷方式为喷涂涂敷。

10.根据权利要求1所述的台阶结构的制作方法，其特征在于，

所述晶圆的第一表面为晶面指数为100的晶面。

11.根据权利要求1所述的台阶结构的制作方法，其特征在于，

在俯视面上，所述凹坑结构的底面为方形，所述图形化掩膜层的开口包括形状与所述凹坑结构的底面的方形相似的内周线和圆形的外周线。

12.根据权利要求1或11所述的台阶结构的制作方法，其特征在于，

所述凹坑结构还包括连接所述底面和所述晶圆的第一表面的侧壁，且所述侧壁为底端偏向所述凹坑结构中心的倾斜侧壁。

13.根据权利要求12所述的台阶结构的制作方法，其特征在于，

所述侧壁与所述底面确定的平面的夹角为54.7度。

14.一种振动检测装置，其特征在于，包括采用根据权利要求1至13任一项所述的台阶结构的制作方法制作的台阶结构。