[发明专利]一种岩青兰的组织培养方法及其应用有效

专利信息
申请号: 202010459754.9 申请日: 2020-05-27
公开(公告)号: CN111557243B 公开(公告)日: 2022-02-18
发明(设计)人: 王俊丽;王晓东;黄航君;李依;陆旭;马伟伟;杜嘉琳;耿兆鹏;卢娇 申请(专利权)人: 中央民族大学
主分类号: A01H4/00 分类号: A01H4/00
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 代理人: 关畅
地址: 100081 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 岩青兰 组织培养 方法 及其 应用
【权利要求书】:

1.一种岩青兰的组织培养方法,其特征在于:所述方法包括如下步骤:

1)将消毒处理后的岩青兰种子在无菌条件下培养,得到无菌种子苗;

2)将所述无菌种子苗的顶芽作为外植体在诱导培养基中培养,得到丛芽;

3)将从所述丛芽基部取下的单芽在生根培养基中培养,得到岩青兰再生苗;

所述诱导培养基由6-BA和MS培养基组成;所述6-BA在所述诱导培养基中的浓度为0.5~4mg/L;

或,所述诱导培养基由TDZ和MS培养基组成;所述TDZ在所述诱导培养基中的浓度为1mg/L;

所述生根培养基由NAA和MS培养基组成;所述NAA在所述生根培养基中的浓度为0.5~1mg/L。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:所述6-BA在所述诱导培养基中的浓度为1mg/L。

3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于:所述步骤1)中,所述消毒处理为用体积分数为10~12%的H2O2溶液消毒处理15~30min;

或,所述消毒处理为用体积分数为12%的H2O2溶液消毒处理20min;

或,所述将消毒处理后的岩青兰种子在MS培养基中进行培养;

或,所述培养的条件为在温度为24~26℃、光强为30~40mmol/(m2·s)、光照时间为12h/天、相对湿度为70%的条件下培养30-45天。

4.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于:所述步骤2)中,所述无菌种子苗的顶芽的长度为1.5~2.5cm;

或,所述培养条件为在温度为24~26℃、光强为30~40mmol/(m2·s)、光照时间为12h/天、相对湿度为70%的条件下培养30~45天。

5.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于:所述步骤3)中,所述丛芽基部取下的单芽的长度为2.5~3.5cm;

或,所述培养条件为在温度为24~26℃、光强为30~40mmol/(m2·s)、光照时间为12h/天、相对湿度为70%的条件下培养30~45天。

6.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于:所述步骤3)后还包括将所述岩青兰再生苗移栽,培育得到岩青兰再生植株的步骤。

7.如下a)-c)中任一种应用:

a)权利要求1-6任一所述的方法在繁育或扩繁岩青兰中的应用;

b)权利要求1或2中所述的诱导培养基在诱导岩青兰外植体产生不定芽中的应用,所述外植体为岩 青兰无菌种子苗的顶芽;

c)权利要求1或2中所述的诱导培养基在提高岩青兰外植体的不定芽诱导率中的应用,所述外植体为岩 青兰无菌种子苗的顶芽。

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