[发明专利]一种具有负耦合结构的滤波器及其制作方法在审
申请号: | 202010460104.6 | 申请日: | 2020-05-27 |
公开(公告)号: | CN111540989A | 公开(公告)日: | 2020-08-14 |
发明(设计)人: | 倪玉荣 | 申请(专利权)人: | 江苏灿勤科技股份有限公司 |
主分类号: | H01P1/20 | 分类号: | H01P1/20;H01P11/00 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 孙仿卫 |
地址: | 215600 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 耦合 结构 滤波器 及其 制作方法 | ||
1.一种具有负耦合结构的滤波器,包括至少两个谐振器,每个谐振器均包括谐振器本体和位于所述谐振器本体上的调试孔,所述谐振器本体由陶瓷材料制成,所述调试孔为盲孔,用于调试其所在的谐振器的谐振频率;所有所述介质谐振器本体构成介质滤波器本体,所述具有负耦合结构的滤波器还包括:
第一负耦合孔,所述第一负耦合孔为盲孔,所述第一负耦合孔开设于所述滤波器本体的表面,其所处的位置与所述两个相邻的谐振器相连接;
第二负耦合孔,所述第二负耦合孔开设于所述第一负耦合孔的底壁,所述第二负耦合孔贯穿所述滤波器本体;
导电层,所述导电层覆盖在所述滤波器本体的表面、所述第一负耦合孔的内壁表面和所述第二负耦合孔的内壁表面;
其特征在于:
所述第一负耦合孔的底壁上设有围绕所述第二负耦合孔的孔口部的隔断环,所述隔断环贯穿位于所述底壁上的所述导电层,所述隔断环包括靠近所述孔口部的内边沿和远离所述孔口部的外边沿,所述内边沿和所述外边沿之间围成的区域填充有绝缘材料。
2.根据权利要求1所述的具有负耦合结构的滤波器,其特征在于,所述隔断环的轴心线与所述第二负耦合孔的轴心线相重合。
3.根据权利要求1所述的具有负耦合结构的滤波器,其特征在于,所述隔断环的轴心线与所述第一负耦合孔的轴心线相重合。
4.根据权利要求1所述的具有负耦合结构的滤波器,其特征在于,所述第一负耦合孔的轴心线与所述第二负耦合孔的轴心线相重合。
5.根据权利要求1所述的具有负耦合结构的滤波器,其特征在于,所述两个相邻的所述谐振器上的所述调试孔的轴心线之间形成一个虚拟的平面,所述隔断环的轴心线位于该平面内。
6.根据权利要求1所述的具有负耦合结构的滤波器,其特征在于,所述两个相邻的所述谐振器上的所述调试孔的轴心线之间形成一个虚拟的平面,所述第一负耦合孔的轴心线位于该平面内。
7.根据权利要求1所述的具有负耦合结构的滤波器,其特征在于,所述两个相邻的所述谐振器上的所述调试孔的轴心线之间形成一个虚拟的平面,所述第二负耦合孔的轴心线位于该平面内。
8.根据权利要求1所述的具有负耦合结构的滤波器,其特征在于,所述隔断环的所述内边沿的形状与所述第二负耦合孔的横截面的形状相同。
9.根据权利要求1所述的具有负耦合结构的滤波器,其特征在于,所述隔断环的所述外边沿的形状与所述第一负耦合孔的横截面的形状相同。
10.制作权利要求1-9中任意一种所述的具有负耦合结构的滤波器的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1 成型,将陶瓷粉料干压成型,开设所述调试孔、所述第一负耦合孔及所述第二负耦合孔,得到陶瓷坯体;
S2 烧瓷,将所述陶瓷坯体烧结成陶瓷,制成所述滤波器本体;
S3 金属化,采用浸银或者喷银工艺在所述滤波器本体的表面、所述第一负耦合孔的内壁表面和所述第二负耦合孔的内壁表面制作银膜,形成所述导电层;
S4 加工隔断环,采用激光工艺或者机加电极工艺在所述第一负耦合孔的底壁上加工出所述隔断环,所述隔断环内的所述导电层在加工所述隔断环的过程中经高温烧制形成所述绝缘材料。
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