[发明专利]基板处理设备和清洁腔室内部的方法

权利要求书

1.一种基板处理设备，包括：

腔室；

基座，其设置在腔室内并在其中具有电极；

金属板，其面向基座；

多个阻抗调节器，其具有不同阻抗；以及

选择装置，其配置为将多个阻抗调节器之一连接到电极。

2.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中，

所述多个阻抗调节器包括具有第一电容器的第一阻抗调节器和具有第二电容器的第二阻抗调节器。

3.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中，

所述多个阻抗调节器包括具有电容器的第一阻抗调节器和仅具有布线的第二阻抗调节器。

4.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中，

所述多个阻抗调节器包括具有电容器的第一阻抗调节器和具有线圈的第二阻抗调节器。

5.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中，

所述多个阻抗调节器包括电容器和线圈的并联电路。

6.根据权利要求1所述的基板处理设备，包括：

与所述金属板连接的AC电源；并且其中，

所述多个阻抗调节器包括第一阻抗调节器和第二阻抗调节器；

第一阻抗调节器的阻抗与电极的阻抗之和小于电极的阻抗；以及

第二阻抗调节器的阻抗与电极的阻抗之和大于电极的阻抗。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的基板处理设备，其中，

所述金属板是具有缝隙的莲蓬头。

8.一种清洁方法，包括：

在基座的电极通过第一阻抗调节器接地的同时，向面向腔室中的基座的金属板施加高频功率，以在基座和金属板之间的第一区域中产生等离子体；以及

在电极通过阻抗与第一阻抗调节器的阻抗不同的第二阻抗调节器接地的同时，向金属板施加高频功率，以在第一区域和第二区域中产生等离子体，第二区域位于基座的下表面侧。

9.根据权利要求8所述的清洁方法，其中，

当在第二区域中产生等离子体时，在设置成包围基座的排气管中的第三区域中也产生等离子体。

10.根据权利要求8或9所述的清洁方法，其中，

用等离子体处理放置在所述基座上的基板，当电极通过第一阻抗调节器接地时，在第一区域中产生等离子体。

11.根据权利要求10所述的清洁方法，其中，

当电极通过第一阻抗调节器接地以在第一区域中产生等离子体时，产生烃等离子体；以及

当电极通过第二阻抗调节器接地以在第一区域和第二区域中产生等离子体时，产生基于氧的等离子体。