[发明专利]显示装置在审
申请号: | 202010460207.2 | 申请日: | 2020-05-27 |
公开(公告)号: | CN112666766A | 公开(公告)日: | 2021-04-16 |
发明(设计)人: | 卢相龙;李昌洙 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1343;G02F1/133 |
代理公司: | 北京钲霖知识产权代理有限公司 11722 | 代理人: | 李英艳;玉昌峰 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
1.一种显示装置,是帧频可变的显示装置,其中,所述显示装置包括:
开关元件,连接于栅极线以及数据线;
液晶电容器,包括连接于所述开关元件的像素电极以及被施加公共电压的公共电极;以及
保持电容器,包括连接于所述开关元件的第一电极以及被施加保持电压的第二电极,
所述保持电容器的电容根据基于最大帧频与最小帧频的差的基准来设定,
所述保持电压是与所述公共电压相比预先规定的电平以上的电压。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述保持电容器的电容设定成所述最大帧频与所述最小帧频的差越大而越大。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述保持电容器的电容设定成所述最大帧频越高而越大。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
当所述最小帧频是48Hz,所述最大帧频是120Hz时,所述保持电容器的电容设定成CLC/(CST+CLC)为未满93%,所述CLC是所述液晶电容器的电容,所述CST是所述保持电容器的电容。
5.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
当所述最小帧频是48Hz,所述最大帧频是144Hz时,所述保持电容器的电容设定成CLC/(CST+CLC)为未满80%,所述CLC是所述液晶电容器的电容,所述CST是所述保持电容器的电容。
6.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
当所述最小帧频是48Hz,所述最大帧频是165Hz时,所述保持电容器的电容设定成CLC/(CST+CLC)为未满73%,所述CLC是所述液晶电容器的电容,所述CST是所述保持电容器的电容。
7.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
当所述最小帧频是48Hz,所述最大帧频是240Hz时,所述保持电容器的电容设定成CLC/(CST+CLC)为未满61%,所述CLC是所述液晶电容器的电容,所述CST是所述保持电容器的电容。
8.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述保持电压是比所述公共电压高3V以上的电压。
9.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述保持电容器还包括:
栅极绝缘膜,位于所述第二电极上;
半导体层,位于所述栅极绝缘膜上;以及
N+掺杂层,位于所述半导体层上,
所述第一电极位于所述N+掺杂层上。
10.根据权利要求9所述的显示装置,其中,
所述开关元件包括:
栅极电极,连接于所述栅极线;
源极电极,连接于所述数据线;以及
漏极电极;连接于所述像素电极以及所述第一电极,
所述半导体层与所述数据线、所述源极电极、所述漏极电极以及所述第一电极以相同的图案形成。
11.一种显示装置,其中,包括:
第一基板;
栅极导电层,包括位于所述第一基板上的栅极线、栅极电极以及保持电极线;
栅极绝缘膜,位于所述栅极导电层上;
半导体层,位于所述栅极绝缘膜上;
数据导电层,包括位于所述半导体层上的数据线、源极电极、漏极电极以及电容器电极;
像素电极,位于所述数据导电层上,并连接于所述漏极电极;以及
公共电极,与所述像素电极相对,
向所述公共电极施加公共电压,向所述保持电极线施加保持电压,所述保持电压是与所述公共电压相比预先规定的电平以上的电压,
所述保持电极线、所述栅极绝缘膜、所述半导体层以及所述电容器电极重叠形成的保持电容器的电容根据基于最大帧频与最小帧频的差的基准来设定。
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