[发明专利]P型有机半导体材料、制备方法及显示面板

说明书

本申请提供一种P型有机半导体材料，制备方法及显示面板。本申请的P型有机半导体材料利用取代基取代了分子结构中环上的氢，得到的P型有机半导体材料的LUMO能级变低。采用本申请的P型有机半导体材料作为发光器件空穴注入层和空穴传输层时，空穴传输层形成空穴的能力增强，空穴从阳极到空穴传输层的注入提高，空穴迁移率随着提高，从而能够降低发光器件的驱动电压。另一方面，该P型有机半导体材料的分子结构平面化程度高，能够进一步提高空穴迁移率，有利于空穴的注入和传输。本申请提供的P型有机半导体材料的制备方法合成步骤简单，成本低廉。

技术领域

本申请涉及有机发光二极管领域，尤其涉及一种P型有机半导体材料、制备方法及显示面板。

背景技术

已知的一种有机发光二极管器件包括阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子注入层、电子传输层以及阴极。当对有机发光二极管器件通电时，电子载流子从阴极产生并注入电子注入层，通过电子传输层到达发光层；而空穴载流子从阳极产生并注入空穴注入层，通过空穴传输层到达发光层；电子载流子和空穴载流子在发光层或发光层与传输层界面进行复合，产生激子从而发光。由于空穴注入层和阳极材料，例如氧化铟锡(indiumtin oxide，ITO)之间的最高占有分子轨道(Highest Occupied Molecular，HOMO)差别比较大，空穴从ITO到空穴注入层需要越过较高的势垒，导致器件的驱动电压升高，增加功耗，降低器件寿命。为了解决这一问题，已知的一种方式为在空穴注入层中掺杂P型材料，形成P型掺杂材料，降低ITO和空穴注入层之间的势垒，增加空穴的注入效率。但此种P型材料的合成难度很大，成本高。

发明内容

有鉴于此，本申请提供一种易于合成且能够降低制备成本的P型有机半导体材料、其制备方法及使用该P型有机半导体材料的显示面板。

本申请提供一种P型有机半导体材料，所述P型有机半导体材料具有以所表示的分子结构，其中，X为碳原子或氮原子；所述R7、R8、R8、R10、R11、R12选自第一取代基群组；

当所述R1和所述R2开环时，所述R1和所述R2选自所述第一取代基群组，

当所述R1和所述R2成环时，所述R1和所述R2成环后的结构式选自的一种，所述基团m1、m2、m3和m4选自第二取代基群组；

当所述R3和所述R4开环时，所述R3和所述R4选自所述第一取代基群组，

当所述R3和所述R4成环时，所述R3和所述R4成环后的结构式选自的一种，所述基团m1、m2、m3和m4选自第二取代基群组；

当所述R5和所述R6开环时，所述R5和所述R6选自所述第一取代基群组，

当所述R5和所述R6成环时，所述R5和所述R6成环后的结构式选自的一种，所述基团m1、m2、m3和m4选自第二取代基群组；

所述第一取代基群组由硝基、腈基、氰基、卤素基、卤代烷基、酯基、甲硅烷基、酰基、磺酸基、醛基、羰基、羧基、亚砜基、氢氧基、烷氧基、氨基、芳基氨基、酰氨基、取代链烯、取代苯环基、取代杂环基构成；

所述第二取代基群组由卤素、CN、构成。

本申请还提供一种P型有机半导体材料的制备方法，所述制备方法包括使含有二酮的第一反应物与含有二胺的第二反应物发生环化反应，生成所述P型有机半导体材料，其中，所述P型有机半导体材料具有以

所表示的分子结构，其中，X为碳原子或氮原子；所述R7、R8、R8、R10、R11、R12选自第一取代基群组；

当所述R1和所述R2开环时，所述R1和所述R2选自所述第一取代基群组，

当所述R1和所述R2成环时，所述R1和所述R2成环后的结构式选自的一种，所述基团m1、m2、m3和m4选自第二取代基群组；