[发明专利]一种具有亚波长光栅反射镜的紫外发光二极管

权利要求书

1.一种具有亚波长光栅反射镜的紫外发光二极管，其特征在于，包括：由上而下依次设置的衬底(101)、AlN成核层(102)、非掺杂AlGaN缓冲层(103)、n型AlGaN层(104)、Al_xGa_(1-x)N/Al_yGa_(1-y)N多量子阱层(105)、AlGaN电子阻挡层(106)、p型AlGaN层(107)，在p型AlGaN层(107)下方设置p型欧姆电极(108)，并在p型AlGaN层(107)的其余位置刻蚀亚波长光栅反射镜(1071)，在n型AlGaN层(104)下方设置n型欧姆电极(109)，在p型欧姆电极(108)和n型欧姆电极(109)正下方分别设置两个凸点(110)，在两个凸点(110)下设置基座(111)。

2.如权利要求1所述的具有亚波长光栅反射镜的紫外发光二极管，其特征在于，所述衬底(101)为可外延生长GaN基材料的蓝宝石、硅、碳化硅、氧化锌、氮化铝、氮化镓衬底中的任意一种。

3.如权利要求1所述的具有亚波长光栅反射镜的紫外发光二极管，其特征在于，所述AlN成核层(102)的厚度为5～30nm；所述非掺杂AlGaN缓冲层(103)的厚度为50～5000nm；所述n型AlGaN层(104)的厚度为200～5000nm；所述Al_xGa_(1-x)N/Al_yGa_(1-y)N多量子阱层(105)具有3～50对量子阱，量子阱的阱厚度为1～10nm，量子阱的势垒厚度为5～30nm；所述AlGaN电子阻挡层(106)的厚度为2～30nm；所述p型AlGaN层(107)的厚度为200～2000nm。

4.如权利要求1所述的具有亚波长光栅反射镜的紫外发光二极管，其特征在于，所述的在p型AlGaN层(107)下表面刻蚀形成的亚波长光栅反射镜(1071)是一维条形光栅或者二维矩形光栅结构；一维条形光栅结构图形深度为400～700nm，条形宽度为50～200nm，周期长度为100～300nm；二维矩形光栅结构图形深度为400～700nm，矩形的边长为50～200nm，周期长度为100～300nm，且光栅周期长度小于多量子阱发射的紫外光波长。

5.如权利要求1所述的具有亚波长光栅反射镜的紫外发光二极管，其特征在于，所述p型欧姆电极(108)和n型欧姆电极(109)的材料为Ni、Al、In、Au或Ti中的任何一种金属或上述金属中任意几种金属组成的合金材料，凸点(110)的材料选择Au，基座(111)的材料选择二维陶瓷基板。