[发明专利]多层发光量子点器件及其制备方法

权利要求书

1.多层发光量子点器件，其特征在于，自下而上包括底电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和顶电极；

所述量子点发光层包括交替设置的量子点层和缓冲层；

所述电子传输层与所述量子点发光层的缓冲层相贴合。

2.根据权利要求1所述的多层发光量子点器件，其特征在于，所述缓冲层为pre-PBO层；

优选的，所述空穴传输层与所述量子点发光层的量子点层或所述量子点发光层的缓冲层相贴合；

优选的，所述量子点层的层数小于或等于所述缓冲层的层数。

3.根据权利要求1或2所述的多层发光量子点器件，其特征在于，所述空穴传输层与所述量子点发光层的量子点层相贴合；

优选的，所述量子点层和所述缓冲层交替设置2～3个周期；

更优选的，所述量子点层和所述缓冲层交替设置3个周期。

4.根据权利要求3所述的多层发光量子点器件，其特征在于，所述量子点发光层的厚度为100～150nm；

优选的，每个所述量子点层的厚度为30～40nm；

优选的，每个所述缓冲层的厚度为5～10nm；

优选的，所述量子点发光层包括三层量子点层，三层所述量子点层分别为红光量子点层、绿光量子点层和蓝光量子点层。

5.根据权利要求1或2所述的多层发光量子点器件，其特征在于，所述底电极的厚度为50～80nm；

可选的，所述底电极为ITO。

6.根据权利要求1或2所述的多层发光量子点器件，其特征在于，所述空穴注入层的厚度为20～25nm；

可选的，所述空穴注入层为PEDOT:PSS。

7.根据权利要求1或2所述的多层发光量子点器件，其特征在于，所述空穴传输层的厚度为20～30nm；

可选的，所述空穴传输层为TFB。

8.根据权利要求1或2所述的多层发光量子点器件，其特征在于，所述电子传输层的厚度为20～30nm；

可选的，所述电子传输层为ZnO；

可选的，所述顶电极的厚度为50～80nm；

可选的，所述顶电极为Al电极。

9.权利要求1-8任一项所述的多层发光量子点器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

在所述底电极上沉积形成所述空穴注入层，在所述空穴注入层上沉积形成所述空穴传输层，在所述空穴传输层上沉积形成所述量子点发光层，在所述量子点发光层上沉积形成所述电子传输层，在所述电子传输层上沉积形成所述顶电极；

其中，所述量子点发光层的沉积方法包括：在所述空穴传输层上交替沉积量子点层和缓冲层；

优选的，所述量子点发光层的沉积方法包括：

(a)在所述空穴传输层上旋涂量子点溶液，旋涂转速为2000～3000rpm，旋涂时间为40～50s，形成量子点层；在所述量子点层上旋涂pre-PBO溶液，旋涂转速为4000～5000rpm，旋涂时间为40～50s；

(b)重复步骤(a)1～2次。

10.根据权利要求9所述的多层发光量子点器件的制备方法，其特征在于，所述量子点溶液的浓度为15～20mg/mL，所述量子点溶液的溶剂为正己烷和/或正辛烷；所述pre-PBO溶液的浓度为8～12mg/mL，所述pre-PBO溶液的溶剂为正己烷和/或正辛烷；

优选的，所述pre-PBO溶液的浓度为10mg/mL。