[发明专利]在聚酰亚胺绝缘基材表面制备电池用石墨烯加热膜的方法

权利要求书

1.一种在聚酰亚胺绝缘基材表面制备电池用石墨烯加热膜的方法，其特征在于，包括：

准备粗化铜电极；

在PI基材表面植入粗化铜电极，形成PI-铜电极基材结构；

在PI-铜电极基材表面印刷石墨烯发热浆料，经烘烤后形成石墨烯发热干膜，并使得石墨烯干膜覆盖部分铜电极，形成“PI-铜电极-石墨烯”发热层结构；和

将PI覆盖膜与PI-铜电极-石墨烯发热层结构的压合封装：将PI覆盖膜局域开孔处理，并使得开孔后的PI覆盖膜与所述“PI-铜电极-石墨烯”发热层结构一侧进行贴合热压，并使得覆盖膜开孔位置对应“PI-铜电极-石墨烯”发热层结构的铜电极，以暴露出铜电极端子，用于石墨烯加热膜与外接电源及控制器的连接。

2.根据权利要求1所述的在聚酰亚胺绝缘基材表面制备电池用石墨烯加热膜的方法，其特征在于，所述粗化铜电极的制备方法为：

准备卷式的铜箔；

将卷式铜箔放入湿法刻蚀设备，采用卷对卷式微蚀工艺，用微蚀液对铜箔进行微蚀；和

铜箔完成微蚀后，对铜箔依次进行清洗、烘干处理，然后收卷，获得粗化铜箔。

3.根据权利要求2所述的在聚酰亚胺绝缘基材表面制备电池用石墨烯加热膜的方法，其特征在于，微蚀液为双氧水-硫酸体系，双氧水和硫酸的总浓度为20-150g/L，双氧水与硫酸浓度比为1：(2.5-3.5)；

优选的，双氧水和硫酸的总浓度为120g/L,其中双氧水浓度为30g/L,硫酸浓度为90g/L。

4.根据权利要求2所述的在聚酰亚胺绝缘基材表面制备电池用石墨烯加热膜的方法，其特征在于，所述微蚀工艺中，反应温度为20-35℃，优选30℃。

5.根据权利要求2所述的在聚酰亚胺绝缘基材表面制备电池用石墨烯加热膜的方法，其特征在于，铜箔在微蚀液中的运动速度为2-4m/min,优选3m/min；任一位置的铜箔在微蚀液中停留的时间为10-500s,优选100s。

6.根据权利要求2所述的在聚酰亚胺绝缘基材表面制备电池用石墨烯加热膜的方法，其特征在于，所述卷式铜箔的厚度为12-50μm,优选25μm；所述卷式铜箔的宽度为3-20mm，优选10mm。

7.根据权利要求1所述的在聚酰亚胺绝缘基材表面制备电池用石墨烯加热膜的方法，其特征在于，所述粗化铜电极表面粗糙度Ra为1-5μm；优选为3μm。

8.根据权利要求1所述的在聚酰亚胺绝缘基材表面制备电池用石墨烯加热膜的方法，其特征在于，在PI基材表面植入粗化铜电极的执行方法为：

将粗化后卷式铜电箔进行裁切处理，获得5-30mm长的铜箔条；

在PI基材表面，涂布丙烯酸胶粘剂或环氧胶粘剂，以50-140℃，1-20min进行预烘烤，获得PI/半固化胶复材，再将PI/半固化胶基材与粗化铜箔条进行压合固化，形成PI-铜电极基材，优选地，所述固化温度为140-200℃，固化时间为5-60min；或，

在PI基材表面，预涂布聚酰胺酸，干燥形成半固化聚酰胺酸膜，获得PI/半固化胶复材，优选地，所述干燥温度为120-200℃，干燥时间为1-20min，再将PI/半固化胶复材与所述粗化的铜箔进行高温压合完成亚胺化过程，形成PI-铜电极基材，优选地，所述压合温度为250-350℃，压力为2-10MPa；或，

在粗化铜箔表面涂布聚酰胺酸，经过干燥形成半固化聚酰胺酸膜，再与PI基材进行高温压合完成亚胺化过程，形成PI-铜电极基材，优选地，所述压合温度为250-350℃，压力为2-10MPa。