[发明专利]一种适用于专用神经网络加速器的数据双层缓存方法有效

专利信息
申请号: 202010462702.7 申请日: 2020-05-27
公开(公告)号: CN111783967B 公开(公告)日: 2023-08-01
发明(设计)人: 王维;伍骏 申请(专利权)人: 上海赛昉科技有限公司
主分类号: G06N3/063 分类号: G06N3/063;G06N3/0464;G06F3/06
代理公司: 上海创开专利代理事务所(普通合伙) 31374 代理人: 吴海燕
地址: 200120 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 适用于 专用 神经网络 加速器 数据 双层 缓存 方法
【权利要求书】:

1.一种适用于专用神经网络加速器的数据双层缓存方法,其特征在于,所述专用神经网络加速器采用至少两块小容量片上SRAM实现子网络层间数据的第一级“乒乓缓冲”,神经网络加速器的主控制器从片外DRAM存储器中搬移子网络层1的输入数据到片内SRAM存储器1中,一旦片内SRAM存储器1完成数据搬移,则加速器开始启动计算,同时,主控制器开始同步从外部DRAM搬移子网络层2的输入数据到片内SRAM存储器2中,所述数据双层缓存方法包括如下步骤:

S01、主控制器从片外DRAM搬移当前网络层的输入数据到片内SRAM存储器1,搬移完毕后开启加速器计算,并同步搬移下一层网络输入数据到片内SRAM存储器2中;

S02、神经网络加速器内部的数据缓冲器从片内SRAM存储器1中选择数据缓存到缓冲器1中,开始计算矩阵运算,并同步缓存下一次运算所需数据到缓冲器2中,一旦缓冲器1中数据运算结束后,计算矩阵等待或开始缓冲器2中数据的运算;

S03、重复步骤S02,直到片内SRAM存储器1中的数据全部计算完成;

S04、检查用于缓存下一级网络层输入数据的片内SRAM存储器2是否已完成数据搬移,一旦数据搬移完成,则马上开始网络层计算,否则,等待数据搬移完成。

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