[发明专利]电离层三维展示方法和装置在审
申请号: | 202010462763.3 | 申请日: | 2020-05-27 |
公开(公告)号: | CN111667567A | 公开(公告)日: | 2020-09-15 |
发明(设计)人: | 张坤;王世金;李子平;姜丙凯;郭豪男 | 申请(专利权)人: | 北京天工科仪空间技术有限公司 |
主分类号: | G06T17/00 | 分类号: | G06T17/00;G06T19/20 |
代理公司: | 北京细软智谷知识产权代理有限责任公司 11471 | 代理人: | 谭承世 |
地址: | 100089 北京市海淀区天秀路1*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电离层 三维 展示 方法 装置 | ||
本申请涉及电离层观测的相关技术领域,尤其涉及一种电离层三维展示方法和装置。其中,电离层三维展示方法包括:获取检测到的电离层数据;对所述电离层数据进行拆分;基于所述拆分的电离层数据和待展示区域,确定插值点的位置;确定所述插值点的电子密度数据:基于所述插值点的位置和电子密度数据,在虚拟地球的表面进行点云渲染,得到电离层三维展示图像。
技术领域
本申请涉及电离层观测的相关技术领域,尤其涉及一种电离层三维展示方法和装置。
背景技术
作为日地空间环境的重要组成部分,电离层是卫星导航、通信和雷达等许多无线电信息系统的重要的测量误差来源之一。为满足高精度电离层误差修正的需要,获取电离层特征参量至关重要。在电离层众多的特征参量中,电子密度分布是表征电离层状态变化的关键特征参量之一。电离层电子密度的可视化研究不仅可以让用户以直观的方式分析数据,而且有助于发现数据中所隐藏的复杂规律。
传统的电离层数据可视化主要有面绘制、定制kml文件等方法,但这些方法只表达出数据的部分信息特征,无法反映出原始数据场的全貌和细节。
发明内容
为解决上述问题,本申请提供一种电离层三维展示方法和装置。
基于本申请的第一方面,提供一种电离层三维展示方法,包括:
获取检测到的电离层数据;
对所述电离层数据进行拆分;
基于所述拆分的电离层数据和待展示区域,确定插值点的位置;
确定所述插值点的电子密度数据:
基于所述插值点的位置和电子密度数据,在虚拟地球的表面进行点云渲染,得到电离层三维展示图像。
可选的,所述对所述电离层数据进行拆分,包括:
基于电离层数据的切片数据确定各电离层数据对应的空间坐标;所述空间坐标为由经纬高组成的大地坐标,或者笛卡尔坐标。
可选的,所述基于所述拆分的电离层数据和待展示区域,确定插值点的位置,包括:
确定待展示区域的空间坐标集;
基于所述待展示区域的空间坐标集和用户设置的步长,确定要插值点的空间坐标。
可选的,所述确定所述插值点的电子密度数据,包括:
确定以插值点的空间坐标为中心的预设范围;
所述电离层数据中,落入所述预设范围内的原始点电离层数据;其中,所述原始点的电离层数据包括原始点的位置和原始点的电子密度数据;
基于预设范围内的原始点电离层数据确定所述插值点的电子密度数据。
可选的,所述预设范围为:以所述插值点的空间坐标为中心点,具有预设长宽高的长方体空间范围。
可选的,所述基于所述原始点电离层数据确定所述插值点的电子密度数据,包括:
确定各个原始点与插值点之间的长度;
计算原始点的电子密度数据与原始点与插值点之间的长度的比值;
计算各比值之和;
计算各个原始点与插值点之间长度的倒数之和;
所述插值点的电子密度数据为:所述比值之和所述倒数之和的比值。
可选的,执行所述在虚拟地球的表面进行点云渲染,得到电离层三维展示图像的步骤的程序采用CS架构,利用Unity实现的三维可视化效果。
可选的,所述点云渲染为:一种数据格式兼实现方式;
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