[发明专利]半导体结构及半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底；

位于所述衬底上的若干相互分立的磁隧道结；

位于所述磁隧道结顶面的第二电极层；

位于所述磁隧道结以及第二电极层侧壁面的侧墙；

位于所述磁隧道结底面与衬底表面之间，以及侧墙底面与衬底表面之间的第一电极层。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述磁隧道结包括：位于所述第一电极层表面的第一电磁层、位于所述第一电磁层表面的隧穿层、位于所述隧穿层表面的第二电磁层。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述衬底、第二电极层和侧墙表面的第一介电层，所述第一介电层包括第一下层介电层，以及位于第一下层介电层表面的第一上层介电层。

4.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述衬底包括存储区，至少1个以上所述磁隧道结、位于该磁隧道结顶面的第二电极层、位于该磁隧道结和衬底之间的第一电极层、位于该磁隧道结侧壁面的侧墙、以及至少部分所述第一介电层位于所述存储区上。

5.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述存储区的第一上层介电层内的第一互连结构，所述第一互连结构与所述存储区的第二电极层电互连。

6.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述衬底还包括逻辑区，至少1个以上所述磁隧道结、位于该磁隧道结顶面的第二电极层、位于该磁隧道结和衬底之间的第一电极层、位于该磁隧道结侧壁面的侧墙、以及至少部分所述第一介电层位于所述逻辑区上。

7.如权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述逻辑区的衬底内具有逻辑电路、所述逻辑电路电互连的第一逻辑互连结构以及包围所述逻辑电路、第一逻辑互连结构的衬底介质结构。

8.如权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述逻辑区的第一下层介电层以及衬底内的第二互连结构，所述第二互连结构与所述第一逻辑互连结构电互连；位于所述第一上层介电层内的第三互连结构，所述第三互连结构与所述第二互连结构电互连。

9.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底表面形成第一电极材料层；

在所述第一电极材料层表面形成若干相互分立的磁隧道结，并且在每个所述磁隧道结顶面形成第二电极层；

在所述磁隧道结以及所述第二电极层侧壁面形成侧墙；

在形成所述侧墙后，去除所述衬底表面暴露的第一电极材料层，以形成第一电极层。

10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述磁隧道结的方法包括：在所述第一电极材料层表面形成磁隧道结材料层；在所述磁隧道结材料层上形成若干相互分立的第一掩膜结构；以所述第一掩膜结构为掩膜，刻蚀所述磁隧道结材料层，直至暴露出所述第一电极材料层表面。

11.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，刻蚀所述磁隧道结材料层的工艺包括离子束刻蚀工艺。

12.如权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述离子束刻蚀工艺的工艺参数包括：采用的气体包括氩气、氪气和氙气中的至少一种；离子能量范围为100eV至800eV；离子入射角度范围为20度至45度，所述离子入射角度为离子入射方向与衬底法线方向之间的夹角。

13.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述形成第一电极层的方法包括：在形成所述侧墙后，以所述第二电极层以及所述侧墙为掩膜，刻蚀所述第一电极材料层，直至暴露出所述衬底表面。