[发明专利]一种室温气体传感器在神经毒剂检测中的应用

权利要求书

1.一种室温气体传感器在神经毒剂检测中的应用，其特征在于，所述室温气体传感器包括铜底座，叉指电极，所述叉指电极固定并连接在所述铜底座上，所述叉指电极表面覆盖有传感材料薄膜，所述传感材料薄膜由二维过渡金属硫族化合物制得。

2.如权利要求1所述的室温气体传感器在神经毒剂检测中的应用，其特征在于，所述二维过渡金属硫族化合物为二维硒化钨纳米片。

3.如权利要求2所述的室温气体传感器在神经毒剂检测中的应用，其特征在于，所述室温气体传感器的制备方法包括以下步骤：

步骤A-1、将所述二维硒化钨纳米片在乙醇中超声分散均匀，形成二维硒化钨分散液；

步骤A-2、将所述二维硒化钨分散液滴涂所述叉指电极表面，在真空干燥箱中干燥，形成均匀覆盖的所述传感材料薄膜；

步骤A-3、将覆盖有所述传感材料薄膜的所述叉指电极固定在所述铜底座上，并用铝线连接，形成室温气体传感器。

4.如权利要求3所述的室温气体传感器在神经毒剂检测中的应用，其特征在于，所述步骤A-1中的所述二维硒化钨分散液的浓度为5mg/ml。

5.如权利要求3所述的室温气体传感器在神经毒剂检测中的应用，其特征在于，所述二维硒化钨分散液在所述叉指电极表面的干燥温度为60℃，干燥时间为2h。

6.如权利要求3所述的室温气体传感器在神经毒剂检测中的应用，其特征在于，所述叉指电极正负电极间距为620μm，相邻电极间距为20μm。

7.如权利要求2-6任意一项所述的室温气体传感器在神经毒剂检测中的应用，其特征在于，所述二维硒化钨纳米片的制备方法包括以下步骤:

步骤B-1、研磨硒化钨化合物，得到硒化钨粉体；

步骤B-2、将所述硒化钨粉体分散于N-甲基-2-吡咯烷酮溶剂中，超声分散均匀，得到第一溶液；

步骤B-3、将所述第一溶液超声处理，得到第二溶液；

步骤B-4、将所述第二溶液静置12h，使部分未剥离的粉体沉淀在底部，取上层分散液，得到第三溶液；

步骤B-5、将所述第三溶液离心处理，取顶部80％的上清液，得到第四溶液；

步骤B-6、将所述第四溶液在水和无水乙醇交替离心洗涤，得到所述的二维硒化钨纳米片。

8.如权利要求7所述的室温气体传感器在神经毒剂检测中的应用，其特征在于，所述步骤B-3的超声处理时间为40h，超声功率为500W。

9.如权利要求7所述的室温气体传感器在神经毒剂检测中的应用，其特征在于，所述步骤B-5的离心处理时间为10min，转速设置为2000rpm。