[发明专利]一种LED阵列基板的制备方法、LED阵列基板、面板及设备有效

专利信息
申请号: 202010464229.6 申请日: 2020-05-27
公开(公告)号: CN111554783B 公开(公告)日: 2021-12-28
发明(设计)人: 陈启燊;秦快;郭恒;王森;谢宗贤;张普翔;冯飞成 申请(专利权)人: 佛山市国星光电股份有限公司
主分类号: H01L33/12 分类号: H01L33/12;H01L33/54;H01L33/00;H01L25/16;G09F9/30
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 孟金喆
地址: 528000 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 led 阵列 制备 方法 面板 设备
【说明书】:

发明公开一种LED阵列基板的制备方法、LED阵列基板、面板及设备,方法包括:提供载体基板,包括第一区域和第二区域;在第二区域内形成凸起结构;在第一区域内形成TFT阵列,凸起结构的表面高于TFT阵列的表面;在凸起结构上形成金属焊盘,在TFT阵列上形成缓冲层,缓冲层用于吸收固定LED发光晶片过程中对TFT阵列产生的压力。由于凸起结构的表面高于TFT阵列的表面,印刷机的刮刀的压力主要集中在凸起结构上,从而减少对TFT阵列的压力;此外,刮刀的压力通过钢网传递到缓冲层时,被缓冲层吸收,进一步减少对TFT阵列的压力,从而避免钢网印刷过程中产生的压力对TFT结构或线路进行挤压,造成TFT结构或线路受损断路或层间接触短路的问题,提高了产品的良率。

技术领域

本发明涉及显示设备技术领域,尤其涉及一种LED阵列基板的制备方法、LED阵列基板、面板及设备。

背景技术

目前随着LED封装技术的快速发展,工艺也逐渐成熟,对于点间距的要求则越来越小,点间距P1.0mm以下的市场需求量逐渐增加。传统的LED封装通常采用板上晶片封装(Chips On Board,COB)方式,将LED发光晶片固定在印刷线路板(Printed Circuit Board,PCB)上,并进行封装。

由于PCB线路板的精度目前最高仅能达到1.5mil(38um),对于点间距在P1.0mm以下显示面板,受制于发光晶片的尺寸及PCB线路板的工艺制程限制,现有的COB封装方式难以实现。而TFT(Thin Film Transistor,薄膜晶体管)玻璃基板在制程上采用的是光刻与刻蚀工艺,因此TFT玻璃基板的精度可达到2um,使得玻璃上晶片封装(Chip On Glass,COG)成为点间距P1.0mm以下的最优封装方式。

由于TFT玻璃基板上精密的线路与TFT结构是通过层叠的结构形成的,且线路与TFT通常包括金属层和无机层,因此非常脆弱。在将LED发光晶片固定到TFT玻璃基板上的过程中,通常采用钢网印刷的方式在TFT玻璃基板上涂刷固晶材料(例如锡膏),LED发光晶片通过固晶材料固定在TFT玻璃基板。在钢网印刷的过程中,印刷机的刮刀的压力通过钢网传递到TFT玻璃基板上,对TFT玻璃基板上的TFT结构或线路进行挤压,造成TFT结构或线路受损导致断路,或造成各层间的结构会发生接触导致短路,使得TFT玻璃基板报废,降低了产品良率。

发明内容

本发明实施例提供了一种LED阵列基板的制备方法、LED阵列基板、面板及设备,能够避免钢网印刷过程中产生的压力对TFT结构或线路进行挤压,造成TFT结构或线路受损断路或层间接触短路的问题,提高了产品的良率。

第一方面,本发明实施例提供了一种LED阵列基板的制备方法,包括:

提供载体基板,所述载体基板包括用于承载TFT阵列的第一区域和用于承载LED发光晶片的第二区域;

在所述第二区域内形成用于承载LED发光晶片的凸起结构;

在所述第一区域内形成TFT阵列,所述凸起结构的表面高于所述TFT阵列的表面;

在所述凸起结构上形成金属焊盘,所述金属焊盘与所述TFT阵列中的源极或漏极电连接,所述金属焊盘用于电连接所述LED发光晶片的电极;

在所述TFT阵列上形成缓冲层,所述缓冲层用于吸收固定所述LED发光晶片过程中对所述TFT阵列产生的压力。

可选的,在所述第二区域内形成用于承载LED发光晶片的凸起结构,包括:

在所述载体基板上形成牺牲层;

去除部分所述牺牲层,

可选的,去除部分所述牺牲层,在所述第二区域内形成用于承载LED发光晶片的凸起结构,包括:

在所述牺牲层上形成掩模层;

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