[发明专利]一种深腔刻蚀方法有效
| 申请号： | 202010464271.8 | 申请日： | 2020-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN111620297B | 公开（公告）日： | 2023-02-28 |
| 发明（设计）人： | 钟晓辉;洪燕;张睿;黎家健;屠兰兰 | 申请（专利权）人： | 瑞声声学科技（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 深圳市华盛智荟知识产权代理事务所(普通合伙) 44604 | 代理人： | 胡国英 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市南山区高*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 方法 | ||
1.一种深腔刻蚀方法，所述深腔包括大腔和与所述大腔形成台阶的小腔，其特征在于，该方法包括如下步骤：
提供一至少包含上表面的硅基底；
在所述硅基底的上表面形成氧化层；所述氧化层的厚度为a，且满足关系式：a≤10um；
在所述氧化层背离所述硅基底的一面旋涂涂布第一光刻胶并将其图案化；
以图案化的所述第一光刻胶为掩膜刻蚀所述氧化层形成图案氧化层，所述图案氧化层包括贯通所述氧化层且与所述大腔具有相同形状的第一开口；
在所述图案氧化层背离所述硅基底的一面旋涂涂布第二光刻胶并将其图案化；
以图案化的所述第二光刻胶为掩膜刻蚀所述硅基底以形成与所述小腔具有相同的形状第二开口；
以所述图案氧化层为掩模刻蚀所述硅基底以加深所述第一开口和所述第二开口，形成所述小腔和所述大腔。
2.根据权利要求1所述的深腔刻蚀方法，其特征在于，满足关系式：
2um≤a≤4um。
3.根据权利要求1所述的深腔刻蚀方法，其特征在于，所述大腔的深度为T，满足关系式：
50um＜T。
4.根据权利要求1所述的深腔刻蚀方法，其特征在于，所述硅基底还包括与所述上表面相对设置的下表面，在所述下表面远离所述上表面的一面形成有截止层。
5.根据权利要求4所述的深腔刻蚀方法，其特征在于，以所述图案氧化层为掩模刻蚀所述硅基底以加深所述第一开口和所述第二开口直至所述截止层停止，形成所述小腔和所述大腔。
6.根据权利要求5所述的深腔刻蚀方法，其特征在于，所述截止层背离所述硅基底的一面设置有器件结构层。
7.根据权利要求4所述的深腔刻蚀方法，其特征在于，所述硅基底为多晶硅。
8.根据权利要求7所述的深腔刻蚀方法，其特征在于，所述截止层由所述下表面经热氧化形成。
9.根据权利要求1所述的深腔刻蚀方法，其特征在于，所述第一开口和所述大腔的数量相等且数量为若干个。
10.根据权利要求1所述的深腔刻蚀方法，其特征在于，所述第二开口和所述小腔的数量相等且数量为若干个。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于瑞声声学科技（深圳）有限公司，未经瑞声声学科技（深圳）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010464271.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种二氧化铀纳米材料的制备方法
- 下一篇：采用天然水垫消能的判别方法
