[发明专利]一种缺陷检测方法在审
申请号: | 202010466327.3 | 申请日: | 2020-05-28 |
公开(公告)号: | CN111539955A | 公开(公告)日: | 2020-08-14 |
发明(设计)人: | 瞿燕;王恺;郭浩 | 申请(专利权)人: | 上海华力集成电路制造有限公司 |
主分类号: | G06T7/00 | 分类号: | G06T7/00;G06T7/13 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 戴广志 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 缺陷 检测 方法 | ||
本发明提供一种缺陷检测方法,提供待检测图形的信息文件以及待检测图形的参考图形;根据待检测图形的信息文件搜索该待检测图形的图像;将参考图形生成特征轮廓图;将参考图形的特征轮廓图与所述待检测图形的影像进行匹配对比并重叠显示,抓取图形差异,本发明将参考图形生成特征轮廓图,并且将待检测图形与特征轮廓图重叠显示,基于缺陷扫描电镜机台可以准确捕获缺陷微小差异特征参数,提高缺陷影像检测的可读性、高效性,为缺陷检测高效性、准确性提供保障。
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,特别是涉及一种缺陷检测方法。
背景技术
在半导体芯片制造工艺中,缺陷检测扫描电镜在分析缺陷、减少缺陷,提升良率的过程中发挥着重要的作用。
随着集成电路工艺的发展,关键尺寸日益变小,影响芯片良率的缺陷特征尺寸也越来越小。在实际生产过程中,缺陷检测扫描电镜在检测到图形微小变化或图形对准偏移等情况时,依靠人工从缺陷图像上难以准确分辨缺陷状况。如图1a至图1c,其中图1a显示为缺陷图形图像;图1b显示为图1a中缺陷图形的参考图形图像;图1c显示为图1a和图1b对比后被虚线框出来的缺陷位置图像;由此可见,缺陷图形与参考图形二者差别及其微小,很难被肉眼识别;又例如图2a至图2b,其中图2a显示为另一种缺陷图形示意图;图2b显示为图2a中缺陷图形的参考图形示意图,由此可见,缺陷图形的整体图案较参考图形略小,而这些微小差异都很难被肉眼所识别。
因此,使用缺陷扫描电镜准确检测出缺陷,进一步推进缺陷成因的分析排查工作,提高晶圆品质,将变得至关重要。
因此,需要提出一种新的缺陷检测方法来解决上述问题。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点,本发明的目的在于提供一种缺陷检测方法,用于解决现有技术中由于缺陷检测扫描电镜在检测到图形微小变化或图形对准偏移等情况下,难以准确分辨缺陷状况的问题。
为实现上述目的及其他相关目的,本发明提供一种缺陷检测方法,该方法至少包括以下步骤:步骤一、提供待检测图形的信息文件以及所述待检测图形的参考图形;步骤二、根据所述待检测图形的信息文件搜索该待检测图形的图像;步骤三、将所述参考图形生成特征轮廓图;步骤四、将所述参考图形的特征轮廓图与所述待检测图形的影像进行匹配对比并重叠显示,抓取图形差异。
优选地,步骤一中的待检测图形的信息文件中包含该待检测图形的位置信息和图像信息。
优选地,步骤一中的所述待检测图形的参考图形为所述待检测图形在同一片晶圆内其他多个单位芯片内的相同相对坐标的图形,或多个相同制程的其他晶圆单元芯片相同坐标的图形。
优选地,步骤一中的所述参考图形为将所述待检测图形在同一片晶圆内其他多个单位芯片内的相同相对坐标的图形,或多个相同制程的其他晶圆单元芯片相同坐标的图形经图形分析软件生成的一个样本图形。
优选地,步骤一中的所述参考图形为所述待检测图形的原始GDS文件或其他包含待检测图形结构、坐标信息的文件中的图形。
优选地,步骤二中根据所述待检测图形的位置信息搜索待检测图形的图像。
优选地,步骤三中将所述参考图形生成的特征轮廓图为二维特征轮廓图。
优选地,步骤三中将所述参考图形生成的特征轮廓图为三维特征轮廓图。
优选地,步骤四中抓取所述图形差异的方法为:系统设置差异的区间值,若所述特征轮廓图与所述待检测图形经图形分析软件对比后的差异值在所述区间值内,则系统不会报错;若差异值不在所述区间值内,系统会报错并将对比后二者的差异进行标识。
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