[发明专利]存储器控制方法、存储器存储装置及存储器控制器

说明书

本发明提供一种存储器控制方法、存储器存储装置及存储器控制器，存储器控制方法用于控制存储器模块。所述存储器模块包括快取区与数据区。所述快取区中的每一个实体单元是基于第一程序化模式进行程序化。所述数据区中的每一个实体单元是基于第二程序化模式进行程序化。所述存储器控制方法包括：从主机系统接收写入指令，其指示存储第一数据；根据所述写入指令将所述第一数据与填充数据存储至所述快取区或所述数据区中的至少一第一实体单元；更新与所述填充数据有关的计数值；以及若所述计数值满足预设条件，对所述快取区中的至少一第二实体单元执行数据整理操作。

技术领域

本发明涉及一种存储器控制技术，尤其涉及一种存储器控制方法、存储器存储装置及存储器控制器。

背景技术

非易失性存储器模块(例如快闪存储器模块)具有数据非易失性保存、低耗电及数据存取快速等优点。某些类型的存储器存储装置可额外于非易失性存储器模块中设置快取区(亦称为快取缓冲)。在存储数据时，若快取区尚未被写满，则数据可通过单阶存储单元(Single Level Cell,SLC)模式来快速存储至快取区，然后再于背景中将数据从快取区搬移至数据区进行存储。然而，若快取区已被写满，则数据将通过直接三阶存储单元(Direct-Triple Level Cell,Direct-TLC)或类似的程序化模式来直接将数据存储至数据区。

一般来说，若主机系统指示存储小数据(例如数据量为4KB(bytes)的数据)，则存储器存储装置可能需要将此小数据连同填充(dummy)数据来写入至预定的存储位置。以SLC模式为例，4KB的小数据可能要搭配12KB的填充数据来写入至快取区中容量为16KB的一个实体页。但是，若使用Direct-TLC来写入数据，则4KB的小数据可能要搭配44KB的填充数据来填满数据区中容量各别为16KB的三个实体页。这样长时间使用下来，除了快取区与数据区的使用空间很容易被填充数据用尽外，存储器存储装置的写入放大也上升的很快。

发明内容

本发明的实施例提供一种存储器控制方法、存储器存储装置及存储器控制器，可减少填充数据的使用量和/或减少因填充数据的使用而造成的写入放大。

本发明的实施例提供一种存储器控制方法，其用于控制存储器模块。所述存储器模块包括快取区与数据区。所述快取区中的每一个实体单元是基于第一程序化模式进行程序化。所述数据区中的每一个实体单元是基于第二程序化模式进行程序化。所述存储器控制方法包括：从主机系统接收写入指令，其指示存储第一数据；根据所述写入指令将所述第一数据与填充数据存储至所述快取区或所述数据区中的至少一第一实体单元；更新与所述填充数据有关的计数值；以及若所述计数值满足预设条件，对所述快取区中的至少一第二实体单元执行数据整理操作。

在本发明的一实施例中，根据所述写入指令将所述第一数据与所述填充数据存储至所述快取区或所述数据区中的所述至少一第一实体单元的步骤包括：根据所述第一数据的数据量与所述至少一第一实体单元的可用容量决定所述填充数据的数据量。

在本发明的一实施例中，所述的存储器控制方法更包括：若所述计数值达到预设值，判定所述计数值满足所述预设条件。

本发明的实施例另提供一种存储器存储装置，其包括存储器模块、连接接口及存储器控制器。所述连接接口用以连接至主机系统。所述存储器控制器连接至所述存储器模块与所述连接接口。所述存储器模块包括快取区与数据区。所述快取区中的每一个实体单元是基于第一程序化模式进行程序化。所述数据区中的每一个实体单元是基于第二程序化模式进行程序化。所述存储器控制器用以从所述主机系统接收写入指令，所述写入指令指示存储第一数据。所述存储器控制器更用以根据所述写入指令将所述第一数据与填充数据存储至所述快取区或所述数据区中的至少一第一实体单元。所述存储器控制器更用以更新与所述填充数据有关的计数值。若所述计数值满足一预设条件，所述存储器控制器更用以对所述快取区中的至少一第二实体单元执行数据整理操作。