[发明专利]一种以稀土元素掺杂的透明导电氧化物为透明导电层的异质结太阳能电池

权利要求书

1.一种以稀土元素掺杂的透明导电氧化物为透明导电层的异质结太阳能电池，其特征在于，包括晶体硅片(10)，晶体硅片(10)的一侧依次设有第一本征层(11)、第一掺杂非晶硅层(12)、第一透明导电层(13)及第一电极(14)，晶体硅片(10)的另一侧设有第二电极(24)；所述第一透明导电层(13)为稀土元素掺杂的透明导电氧化物。

2.如权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述晶体硅片(10)与第二电极(24)之间还依次设有第二本征层(21)、第二掺杂非晶硅层(22)、第二透明导电层(23)。

3.如权利要求1或2所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述的晶体硅片(10)为单晶硅或多晶硅，掺杂类型为P型硅或N型硅。

4.如权利要求1或2所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述的第一本征层(11)为本征非晶硅层，其光学带隙介于晶体硅片(10)与第一掺杂非晶硅层(12)之间。

5.如权利要求2所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第二本征层(21)与第一本征层(11)完全相同；所述第二透明导电层(23)与第一透明导电层(13)的材料相同。

6.如权利要求2或5所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第二本征层(21)的光学带隙介于晶体硅片(10)与第二掺杂非晶硅层(22)之间。

7.如权利要求1或2所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述的透明导电氧化物为氧化铟锡或掺钨氧化铟；所述的稀土元素为Eu、Sm、Gd和Tb中的任意一种或几种。

8.如权利要求7所述的异质结太阳能电池，其特征在于，以金属元素的总摩尔为基准，所述稀土元素的摩尔含量为0.1～5％。

9.如权利要求1或2所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一透明导电层(13)的厚度为60～100nm。

10.权利要求2-9任意一项所述的异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1)：在晶体硅片(10)的一侧形成第一本征层(11)；

步骤2)：在第一本征层(11)上形成第一掺杂非晶硅层(12)；

步骤3)：在晶体硅片(10)的另一侧形成第二本征层(21)；

步骤4)：在第二本征层(21)上形成第二掺杂非晶硅层(22)；

步骤5)：在第一掺杂非晶硅层(12)上形成第一透明导电层(13)；

步骤6)：在第二掺杂非晶硅层(22)上形成第二透明导电层(23)；

步骤7)：在第一透明导电层(13)上形成第一电极(14)；

步骤8)：在第二透明导电层(23)上形成第二电极(24)。