[发明专利]一种基于SBRIM算法的多基线层析SAR三维成像方法有效
申请号: | 202010467200.3 | 申请日: | 2020-05-28 |
公开(公告)号: | CN111679277B | 公开(公告)日: | 2022-05-03 |
发明(设计)人: | 张晓玲;陈益飞;张星月;师君;韦顺军 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | G01S13/90 | 分类号: | G01S13/90;G01S7/41 |
代理公司: | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人: | 曾磊 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 sbrim 算法 基线 层析 sar 三维 成像 方法 | ||
本发明公开了一种基于SBRIM算法的多基线层析SAR三维成像方法,它是通过将SBRIM算法引入到多基线层析SAR三维成像中,首先通过对每个航过获取的数据进行距离‑方位二维SAR成像,然后对得到的SAR成像进行图像配准,获取观测向量;根据层析向信号测量模型得到测量矩阵,初始化SBRIM算法参数,计算对角矩阵;然后估计散射系数向量和估计噪声功率,最后判断是否符合迭代终止条件,直至达到终止条件结束操作重建出高度向信号,得到三维成像结果。与传统稀疏重构算法而言,本发明不仅能够保持传统算法在稀疏航过分布下三维成像的优势,而且减少算法参数数量,提高层析向分辨率,在较少观测数据下,能重构出三维图像,提高信号稀疏重构的精度。
技术领域:
本发明属于雷达技术领域,它特别涉及层析合成孔径雷达中三维成像技术领域。
技术背景:
合成孔径雷达(Synthetic Aperture Radar,SAR)是一种高分辨率雷达,其可以全天候、全天时地获取地面目标的二维高分辨率图像。传统的SAR成像技术无法获取观测空间三维信息,在成像过程中存在遮挡、空间模糊和顶底倒置等问题,因此三维成像已经成为SAR成像技术发展的迫切要求。多基线层析SAR三维成像技术是传统二维SAR成像技术的扩展,其通过多次航过飞行获取的SAR图像序列在层析向上进行孔径合成,从而将传统SAR成像扩展到第三维,得到层析向上的分辨率,实现对场景的三维成像。多基线层析SAR得到各个领域的广泛关注和应用,已成为国内外SAR技术研究的热点。
在层析SAR成像处理中,为实现高分辨率三维成像,其获取的数据必须满足采样定理,然而实际情况下可能导致航过数量不够或者非均匀,传统的三维成像方法很难满足实际需求。为了解决这一问题,R.Bamler、XX.Zhu、A.Budillon等人将压缩感知方法应用到层析SAR成像。目前的稀疏重构算法有正交匹配追踪(Orthogonal Matching Pursuit、OMP)、贝叶斯压缩感知(Bayesian Compressive Sensing,BCS)成像算法等。OMP算法由于其结构简单、计算复杂度低和运算时间快的优点而被广泛使用,但OMP算法需要预设稀疏度,在实际成像处理中,需要进行稀疏度近似估计,这会导致重构结果不准确,带来严重的重构误差;BCS算法是通过选择不同的观测模型不同的先验概率分布,可以更加灵活的构造稀疏信号的重构模型,相比于OMP算法具有更优的估计性能以及灵活性,但是BCS算法需要设置多个算法参数,算法参数选择不当是将会导致BCS算法性能下降。因此,在较少的观测数据下,为了重构出三维图像,提高信号稀疏重构的精度,本发明提出了一种基于迭代最小化稀疏贝叶斯(Sparsity Bayesian Recovery via Iterative Minimum,SBRIM)算法的多基线层析SAR三维成像方法。
发明内容:
本发明公开了一种基于SBRIM算法的多基线层析SAR三维成像方法,它是通过将SBRIM算法引入到多基线层析SAR三维成像中,首先通过对每个航过获取的数据进行距离-方位二维SAR成像,然后对得到的SAR成像进行图像配准,获取观测向量,接着根据层析向信号测量模型得到测量矩阵,然后初始化SBRIM算法参数,设置迭代停止条件,接着计算对角矩阵,然后估计散射系数向量,接着估计噪声功率,最后判断是否符合迭代终止条件,直至达到终止条件结束操作重建出高度向信号,得到三维成像结果。该方法能在较少观测数据下,重构出三维图像,提高信号稀疏重构的精度。
为了方便描述本发明的内容,首先作以下术语定义:
定义1、合成孔径雷达
合成孔径雷达是将雷达固定于载荷运动平台上,结合平台的运动以合成等效阵列以实现阵列向的分辨率,再利用雷达波束向回波延时实现距离一维成像,从而实现对观测目标二维成像的一种合成孔径雷达技术。详见文献“合成孔径雷达成像原理”,皮亦鸣等编著,电子科技大学出版社。
定义2、合成孔径雷达垂直基线、平行基线
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学,未经电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010467200.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。