[发明专利]一种OLED显示结构及制作方法

说明书

本发明公开一种OLED显示结构及制作方法，其中制作方法包括如下步骤：在基板上的一侧制作栅极金属，在基板上的另一侧制作触控电极；制作第一绝缘层，并在触控电极区域上的第一绝缘层上制作连通触控电极的孔；制作半导体层；沉积第二金属层并蚀刻，在半导体层上形成源极金属和漏极金属，在触控电极区域上形成触控信号线，触控信号线通过第一绝缘层上的孔与触控电极连接；制作像素膜层。上述技术方案在以不增加制程和光罩数的前提下，同时制作触控电极与栅极金属、同时制作源漏极金属与触控信号线，能够有效地降低触控电极的电阻，提高了触控的精确度和灵敏度。

技术领域

本发明涉及OLED技术领域,尤其涉及一种OLED显示结构及制作方法。

背景技术

目前触控技术主要分为On-Cell技术和In-Cell技术，其中In-cell是指将触摸面板功能嵌入到Array基板上。采用In-Cell技术的屏幕具有产品更轻，厚度更低，透光性更好，减少屏幕贴合的时间，提高了生产效率的优点。但是由于技术的限制，目前的采用In-Cell技术的显示面板主要是TFT-LCD 显示面板。AMOLED作为一个热门的先进显示技术，将In-Cell嵌入到AMOLED 的面板上从而降低产品的厚度具有很大的研究价值。

OLED是先在玻璃基板上进行曝光蚀刻后含有许多TFT和像素膜层的基板，然后在采用蒸镀技术，将RGB发光材料和阴极电极蒸镀到上述TFT基板上。由于蒸镀的FMM的精度限制，我们难以将AMOLED面板像TFT-LCD一样，将阴极分割成多块后与底层的信号线打洞相连，导致显示面板的厚度无法有效的减薄。

发明内容

为此，需要提供一种OLED显示结构及制作方法，解决显示面板的厚度过大的问题。

为实现上述目的，发明人提供了一种OLED显示结构制作方法，包括如下步骤：

沉积第一金属层并蚀刻，在基板上的一侧形成栅极金属，在基板上的另一侧形成触控电极；

制作第一绝缘层，并在触控电极区域上的第一绝缘层上制作连通触控电极的孔；

制作半导体层，半导体层位于栅极金属区域上方；

沉积第二金属层并蚀刻，在半导体层上形成源极金属和漏极金属，在触控电极区域上形成触控信号线，触控信号线通过第一绝缘层上的孔与触控电极连接；

制作像素膜层，像素膜层与源极金属或者漏极金属连接，像素膜层、源极金属、漏极金属、触控信号线、半导体层、第一绝缘层、触控电极和栅极金属组成子像素。

进一步地，子像素为多个，多个的子像素按行列排列，组成触控区块；

每个触控区块中位于同一行的子像素的触控电极通过触控电极连线相连接，每个触控区块中位于同一列的子像素的触控信号线互相连接。

进一步地，所述触控区块为多个，一个触控区块中的触控信号线向该触控区块的一侧延伸并穿过同一列其他的触控区块且与其他触控区块的触控电极间隔有所述第一绝缘层，延伸的触控信号线用于连接外部器件，相邻行的触控区块延伸的触控信号线间隔一个子像素或者多个子像素。

进一步地，一个触控区块中的触控信号线还向该触控区块的另一侧延伸并穿过同一列其他的触控区块且与其他触控区块的触控电极间隔有所述第一绝缘层。

进一步地，像素膜层的制作包括如下步骤：

制作第二绝缘层，在源极金属区域的第二绝缘层上制作连通源极金属的过孔或者在漏极金属区域的第二绝缘层上制作连通漏极金属的过孔；

制作有机平坦层，并在有机平坦层上位于第二绝缘层上的过孔处蚀刻出过孔，有机平坦层上的过孔的底部为源极金属或者漏极金属；

制作阳极，阳极通过有机平坦层上的过孔连接源极金属或者漏极金属；