[发明专利]一种晶须增强银氧化锡电接触合金的制备方法

说明书

本发明公开了一种晶须增强银氧化锡电接触合金的制备方法，具体按照以下步骤实施：步骤1、制备氧化锡晶须；步骤2、使用氧化锡晶须制备晶须增强银‑氧化锡复合粉体；步骤3、使用晶须增强银‑氧化锡复合粉体制备晶须增强银基电接触合金。能够控制氧化锡在银基体中的形态，提高第二相氧化锡在银基体中的分散性，使得合金内部第二相氧化物分布均匀；氧化锡晶须具有强度高、模量高、耐热性好、相容性良好等特点，利用氧化锡晶须增强可以有效的提高银基电接触合金的力学性能和物理性能；氧化锡晶须的特殊结构可以在电弧侵蚀作用下维持第二相的均匀性，大大提高银氧化锡电接触合金的性能和使用寿命。

技术领域

本发明属于合金材料制备技术领域，具体涉及一种晶须增强银氧化锡电接触合金的制备方法。

背景技术

AgSnO₂是当前替代有毒电接触材料的一种极具发展前景的环保型电接触材料，由于其具有优良的抗熔焊性以及耐电弧侵蚀性能而成功替代AgCdO电接触材料，广泛应用于各类继电器、断路器中。作为一种金属基复合材料，第二相SnO₂的形态、尺度以及在Ag基体中的分布状态会直接影响电接触材料的性能。

近年来，国内外触头研究者多通过加入微量添加剂和第二相氧化物SnO₂的纳米化等途径来提高银氧化锡的性能。1、通过加入微量添加剂，改善银基体与第二相氧化锡之间的润湿性来提高银氧化锡的产品性能。例如：1)专利《一种含添加物的银氧化锡电触头材料的加工方法》(申请号CN201410840392.2，公开号CN104498762A，公开日2015.04.08)；2)专利《一种复合银氧化锡电接触材料的制备方法》(申请号CN201310078942.7，公开号CN103184384A，公开日2013.07.03)。2、通过将第二相氧化物SnO₂纳米化，增加SnO₂颗粒与基体Ag的接触面积，增强电弧作用下SnO₂与液态Ag之间的黏附作用，从而得以提高银氧化锡的产品性能。例如：1)专利《银氧化锡电接触材料用微米复合二氧化锡粉末的制备方法》(申请号CN201911068517.3，公开号CN111036928A，公开日2020.04.21)；2)专利《一种银氧化锡电接触材料用微米二氧化锡粉末的制备工艺》(申请号CN201911068542.1，公开号CN110902712A，公开日2020.03.24)。然而无论是添加剂的使用还是第二相氧化物SnO₂的细化，都无法避免第二相氧化物出现团聚的情况，容易出现第二相氧化物SnO₂在电弧多次作用下漂浮在银熔池表面，氧化锡重新富集产生偏析，引起触头材料的接触电阻增大，温升较高，严重影响触头材料的使用性能和寿命。

发明内容

本发明的目的是提供一种晶须增强银氧化锡电接触合金的制备方法，能够提高银氧化锡电接触合金的耐电弧侵蚀性能和使用寿命。

本发明采用的技术方案是，一种晶须增强银氧化锡电接触合金的制备方法，具体按照以下步骤实施：

步骤1、制备氧化锡晶须；

步骤2、使用氧化锡晶须制备晶须增强银-氧化锡复合粉体；

步骤3、使用晶须增强银-氧化锡复合粉体制备晶须增强银基电接触合金。

本发明的特点还在于：

步骤1具体过程为：

步骤1.1、将水合氯化锡溶解于去离子水和无水乙醇混合溶液中，并在磁力搅拌条件下将浓度为0.8-1mol/L的氢氧化钠溶液滴加到氯化锡混合溶液中，得混合液A；

步骤1.2、向混合液A中加入十六烷基三甲基溴化铵并充分搅拌，获得前驱液；

步骤1.3、将前驱液转移至磨口锥形瓶中，置于恒温水浴锅中进行陈化，得混合液B；