[发明专利]电池片镀膜设备和电池片镀膜方法在审
申请号: | 202010469416.3 | 申请日: | 2020-05-28 |
公开(公告)号: | CN111485229A | 公开(公告)日: | 2020-08-04 |
发明(设计)人: | 李时俊;梁建军;朱海剑 | 申请(专利权)人: | 深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/54 | 分类号: | C23C16/54;C23C16/458;C23C16/46 |
代理公司: | 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙) 11343 | 代理人: | 尚志峰;胡晓明 |
地址: | 518118 广东省深圳市坪山*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电池 镀膜 设备 方法 | ||
本发明提出了一种电池片镀膜设备和电池片镀膜方法,其中,电池片镀膜设备包括:多个真空腔体;多个真空门阀,相邻的两个真空腔体之间通过一个真空门阀相连;运料装置,用于向真空腔体内输入电池片或从真空腔体内运出电池片;载板,可流转地设于多个真空腔体内,载板用于承载电池片;第一电池片升降机构,用于在运料装置和载板之间传输电池片;第一传输装置,每个真空腔体内设有第一传输装置,其中,第一传输装置用于在多个真空腔体之间传输载板和/或传输运料装置。通过本发明的技术方案,减少了载板和大气的接触,有利于保持载板温度的稳定性和减少水气、杂质的积累,从而可以提升电池片温度的稳定性和洁净度,进而提升电池片的工艺处理效果。
技术领域
本发明涉及电池片镀膜技术领域,具体而言,涉及一种电池片镀膜设备和一种电池片镀膜方法。
背景技术
传统PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,等离子体增强化学的气相沉积法)镀膜设备中,承载电池片的载板需要频繁进入真空腔体或大气环境,这会使载板的温度不断波动而导致电池片温度很难控制,同时载板频繁暴露在空气中,也容易附着水气和杂质累积,从而污染电池片;电池片的污染和温度的不均匀不稳定,最终会对电池片的工艺效果产生很大影响。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术或相关技术中存在的技术问题之一。
有鉴于此,本发明的目的在于提供一种电池片镀膜设备。
本发明的另一个目的在于提供一种电池片镀膜方法。
为了实现上述目的,本发明第一方面的技术方案提供了一种电池片镀膜设备,包括:多个真空腔体;多个真空门阀,相邻的两个真空腔体之间通过一个真空门阀相连;运料装置,用于向真空腔体内输入电池片或从真空腔体内运出电池片;载板,可流转地设于多个真空腔体内,载板用于承载电池片;电池片升降装置,用于在运料装置和载板之间传输电池片;第一传输装置,每个真空腔体内设有第一传输装置,其中,第一传输装置用于在多个真空腔体之间传输载板和/或传输运料装置。
在该技术方案中,通过设置多个真空腔体,并设置运料装置向真空腔体内输入电池片或从真空腔体内运出电池片,而载板通过第一传输装置可流转地设于真空腔体内,即载板可以始终留在真空腔体内,不需要进入大气环境中,有利于载板保持较为稳定的温度,还可以避免因为暴露在空气中而附着水气和杂质,从而有利于电池片温度的控制,减少电池片受到的污染,进而提升电池片的工艺处理效果和加工质量;可以理解,第一传输装置用于传输载板,使载板能够在不同的真空腔体之间流转,以便电池片进行不同的工艺处理。
在上述技术方案中,多个真空腔体包括:相互连接的第一真空腔体和第二真空腔体,第一真空腔体远离第二真空腔体的一端设有第一大气门阀;第一大气门阀开启,以供运料装置出入第一真空腔体;第一大气门阀关闭,以供第一真空腔体内进行抽真空;运料装置可通过第一传输装置在第一真空腔体和第二真空腔体之间往复运动。
在上述技术方案中,第二真空腔体内的第一传输装置可伸缩地设置;电池片升降装置包括第一电池片升降机构,设于第二真空腔体内;第二真空腔体内还设有第一载板顶升机构,第一载板顶升机构用于升降载板。
在上述技术方案中,第一电池片升降机构上设有多个升降立柱;载板上设有通孔,通孔用于避让升降立柱。
在上述任一项技术方案中,多个真空腔体还包括:第三真空腔体和过渡真空腔体,第三真空腔体的一端与第二真空腔体连接,第三真空腔体的另一端与过渡真空腔体连接,第三真空腔体用于电池片进行第一工序;第三真空腔体内还设有第一加热器和第一加热器顶升机构,第一加热器用于加热载板,第一加热器顶升机构用于顶升第一加热器,且第一加热器和第一传输装置错位设置;载板通过第一传输装置,从第二真空腔体运动至第三真空腔体内,并在第三真空腔体内完成电池片的第一工序之后,再通过第一传输装置运动至过渡真空腔体内。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的