[发明专利]芯片封装预处理方法及芯片分析方法

权利要求书

1.一种用于多芯片封装的预处理方法，其特征在于，该预处理方法包括：

探测不同裸晶在多芯片封装的表面投影区域；

保护处于待移除裸晶的表面投影区域之外的多芯片封装；

腐蚀所述多芯片封装；

剥离所述待移除裸晶，获得裸露的目标裸晶。

2.根据权利要求1所述的用于多芯片封装的预处理方法，其特征在于，所述探测不同裸晶在多芯片封装的表面投影区域，包括：

通过放射性射线辐照多芯片封装，获得芯片辐照图；

通过所述芯片辐照图上金线或金属线的分布位置，识别不同裸晶在所述多芯片封装的表面投影区域。

3.根据权利要求1所述的用于多芯片封装的预处理方法，其特征在于，所述保护处于待移除裸晶的表面投影区域之外的多芯片封装，包括：

在所述多芯片封装上粘接保护层，其中，所述保护层被开有与待移除裸晶的表面投影区域尺寸对应的窗口且在粘接后所述窗口的位置区域与所述待移除裸晶的表面投影区域对应。

4.根据权利要求1所述的用于多芯片封装的预处理方法，其特征在于，所述保护处于待移除裸晶的表面投影区域之外的多芯片封装，包括：

在所述多芯片封装上粘接保护层；

确定所述保护层上与待移除裸晶的表面投影区域对应的位置区域；

在所述位置区域内开取与待移除裸晶的表面投影区域尺寸对应的窗口。

5.根据权利要求3或4所述的用于多芯片封装的预处理方法，其特征在于，其中，所述保护层为与浓酸发生钝化或与酸液不反应的金属或合金。

6.根据权利要求5所述的用于多芯片封装的预处理方法，其特征在于，其中，所述保护层为铝箔。

7.根据权利要求3或4所述的用于多芯片封装的预处理方法，其特征在于，其中，所述窗口的位置区域尺寸为所述待移除裸晶的表面投影区域尺寸的105％左右。

8.根据权利要求1-4中任意一项所述的用于多芯片封装的预处理方法，其特征在于，所述腐蚀所述多芯片封装，包括：

在处于所述待移除裸晶的表面投影区域内的多芯片封装表面使用酸液，腐蚀所述多芯片封装的模塑直至有目标裸晶的表面露出。

9.根据权利要求1所述的用于多芯片封装的预处理方法，其特征在于，在所述腐蚀所述多芯片封装之后，且在所述剥离所述待移除裸晶之前，还包括：

使用反应粘连介质溶液去除目标裸晶与所述待移除裸晶之间的粘连介质。

10.根据权利要求9所述的用于多芯片封装的预处理方法，其特征在于，所述使用反应粘连介质溶液去除目标裸晶与所述待移除裸晶之间的粘连介质，包括：

在所述待移除裸晶的区域附近滴入反应聚酰亚胺溶液，去除目标裸晶与所述待移除裸晶之间的聚酰亚胺，其中，所述反应聚酰亚胺溶液为乙二胺的水溶液。

11.根据权利要求10所述的用于多芯片封装的预处理方法，其特征在于，所述使用反应粘连介质溶液去除目标裸晶与所述待移除裸晶之间的粘连介质，还包括以下至少一项：

加热所述反应聚酰亚胺溶液至85摄氏度左右；

保持所述反应聚酰亚胺溶液与所述聚酰亚胺的反应约5分钟。

12.根据权利要求1所述的用于多芯片封装的预处理方法，其特征在于，在所述剥离所述待移除裸晶之后，且在所述获得裸露的目标裸晶之前，还包括：

在所述待移除裸晶剥离后的区域附近滴入腐蚀金溶液，去除所述待移除裸晶的金线，其中，所述腐蚀金溶液为碘化钾的水溶液。