[发明专利]一种高效P型太阳能电池及光伏组件在审
| 申请号： | 202010469741.X | 申请日： | 2020-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN111584650A | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 钟潇;白玉磐;陈园;付少剑 | 申请（专利权）人： | 江西展宇新能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/0352;H01L31/068 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王雨 |
| 地址： | 334100 江西*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高效 太阳能电池 组件 | ||
1.一种高效P型太阳能电池，其特征在于，包括迎光面外延层、P型基体硅及背光面外延层；
所述迎光面外延层沿远离所述P型基体硅的方向依次包括设置于所述P型基体硅的表面的非金属区的正面钝化层、设置于所述P型基体硅的表面的金属区的高掺杂多晶硅层及设置于所述高掺杂多晶硅层表面的正表面电极；
所述高掺杂多晶硅层为P型半导体层，且掺杂浓度高于所述P型基体硅；
所述背光面外延层沿远离所述P型基体硅的方向依次包括设置于所述P型基体硅表面的背面遂穿氧化层，设置于所述背面遂穿氧化层表面的N型掺杂层、设置于所述N型掺杂层表面的金属区的背表面电极及设置于所述N型掺杂层表面的非金属区的背面钝化层。
2.如权利要求1所述的高效P型太阳能电池，其特征在于，所述高效P型太阳能电池还包括正面遂穿氧化层；
所述正面遂穿氧化层设置于所述高掺杂多晶硅层及所述P型基体硅之间。
3.如权利要求2所述的高效P型太阳能电池，其特征在于，所述正面遂穿氧化层及所述背面遂穿氧化层的厚度范围为1.5纳米至2.5纳米，包括端点值。
4.如权利要求1所述的高效P型太阳能电池，其特征在于，所述高掺杂多晶硅层的厚度范围为50纳米至150纳米，包括端点值。
5.如权利要求1所述的高效P型太阳能电池，其特征在于，所述高效P型太阳能电池还包括高掺杂扩散层；
所述高掺杂扩散层设置于所述P型基体硅及所述正面钝化层之间；
所述高掺杂扩散层为P型半导体层，且掺杂浓度高于所述P型基体硅。
6.如权利要求1所述的高效P型太阳能电池，其特征在于，所述正面钝化层及所述背面钝化层为氮化硅层。
7.如权利要求6所述的高效P型太阳能电池，其特征在于，所述正面钝化层的厚度范围为75纳米至85纳米，所述背面钝化层的厚度范围为70纳米至90纳米，包括端点值。
8.如权利要求1所述的高效P型太阳能电池，其特征在于，所述N型掺杂层的厚度为50纳米至150纳米，包括端点值。
9.如权利要求1至8任一项所述的高效P型太阳能电池，其特征在于，所述高效P型太阳能电池为表面制绒太阳能电池。
10.一种光伏组件，其特征在于，所述光伏组件包括如权利要求1至9任一项所述的高效P型太阳能电池。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
