[发明专利]基板处理装置及其控制方法

说明书

本发明提供能够提高使用了超临界状态的处理流体的干燥处理后的晶圆的清洁度的基板处理装置及其控制方法。基板处理装置具有：处理容器，具有能够收纳被液体湿润了表面的状态的基板的处理空间；处理流体供给部，向处理空间中朝向液体供给超临界状态的处理流体；第1排气管线，与第1排气源连接，利用第1排气压使处理空间排气；第2排气管线，与有别于第1排气源的第2排气源连接，在第1排气源和处理空间之间与第1排气管线连接，利用第2排气压经由第1排气管线使处理空间排气；以及控制部，控制第2排气压。超临界状态的处理流体与液体接触而干燥基板。控制部在处理流体供给部停止向处理空间供给处理流体的期间使第2排气压高于第1排气压。

技术领域

本公开关于基板处理装置及其控制方法。

背景技术

在作为基板的半导体晶圆(以下，称为晶圆)等的表面形成集成电路的层叠结构的半导体装置的制造工序中，进行利用化学溶液等清洗液去除晶圆表面的微小灰尘、自然氧化膜等、利用液体处理晶圆表面的液处理工序。公知有在液处理工序中，在去除附着于晶圆的表面的液体等时，使用超临界状态的处理流体的方法(例如，参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2013-12538号公报

发明内容

发明要解决的问题

本公开提供能够提高使用了超临界状态的处理流体的干燥处理后的晶圆的清洁度的基板处理装置及其控制方法。

用于解决问题的方案

本公开的一技术方案的基板处理装置具有：处理容器，其具有能够收纳被液体湿润了表面的状态的基板的处理空间；处理流体供给部，其在所述处理空间朝向所述液体供给超临界状态的处理流体；第1排气管线，其与第1排气源连接，利用第1排气压使所述处理空间排气；第2排气管线，其与有别于所述第1排气源的第2排气源连接，在所述第1排气源和所述处理空间之间与所述第1排气管线连接，并利用第2排气压经由所述第1排气管线使所述处理空间排气；以及控制部，其控制所述第2排气压。所述超临界状态的处理流体与所述液体接触而对所述基板进行干燥。所述控制部在所述处理流体供给部停止向所述处理空间供给所述处理流体的期间，使所述第2排气压高于所述第1排气压。

发明的效果

根据本公开，能够提高使用了超临界状态的处理流体的干燥处理后的晶圆的清洁度。

附图说明

图1是表示清洗处理系统的整体结构的一例的横剖俯视图。

图2是表示超临界处理装置的处理容器的一例的外观立体图。

图3是表示处理容器的一例的剖视图。

图4是表示处理容器的维护用开口的周边的剖视图(其1)。

图5是表示处理容器的维护用开口的周边的剖视图(其2)。

图6是表示第1实施方式的超临界处理装置的整个系统的结构例的图。

图7是表示第1实施方式的控制部的功能结构的框图。

图8是表示IPA的干燥机制的图。

图9是表示使用了喷射器的异物去除处理的一例的剖视图(其1)。

图10是表示使用了喷射器的异物去除处理的一例的剖视图(其2)。

图11是表示使用了喷射器的异物去除处理的一例的剖视图(其3)。