[发明专利]一种纳米材料燃点测量方法及测量系统

权利要求书

1.一种纳米材料燃点测量方法，其特征在于，该方法应用于可燃物质在燃烧过后产生化学相变的场景，包括以下步骤：

1）利用变温椭圆偏振光谱仪在单波长和单角度下测量不同温度下纳米材料的P光、S光的复反射率比值ρ：

ρ=r_p/r_s=tanψe^iΔ

其中，r_p为P光复反射率，r_s为S光复反射率，进而获得两个椭偏参数ψ与Δ；

2）基于步骤1）获得椭偏参数ψ、Δ随温度的变化谱；

3）基于所述变化谱上的突变点确定纳米材料的相变点；

4）根据每一所述相变点前后物质的变化情况，判断所述相变点是否为燃点，从而测量获得纳米材料的最终燃点。

2.根据权利要求1所述的纳米材料燃点测量方法，其特征在于，所述步骤1）中的波长为使椭偏参数随温度变化明显，且测量误差小的波长。

3.根据权利要求1所述的纳米材料燃点测量方法，其特征在于，所述步骤1）中，不同温度的温度间隔为0.5~2 ℃。

4.根据权利要求1所述的纳米材料燃点测量方法，其特征在于，所述步骤4）中，采用X射线衍射仪测定相变点前后物质的变化。

5.根据权利要求1所述的纳米材料燃点测量方法，其特征在于，所述步骤4）中，分别测试常温下和经过相变后的纳米材料的X射线衍射图谱。

6.根据权利要求1所述的纳米材料燃点测量方法，其特征在于，所述椭偏参数范围为：0° ψ 90°，-180 ° Δ 0°。

7.一种纳米材料燃点测量系统，其特征在于，该系统应用于可燃物质在燃烧过后产生化学相变的场景，包括变温椭圆偏振光谱仪、X射线衍射仪和上位机，所述上位机内存储有计算机程序，该计算机程序执行的操作包括：

采集变温椭圆偏振光谱仪在单波长和单角度下、不同温度下的光学测量试验的光学测量结果；

基于所述光学测量结果获得不同温度下纳米材料的P光、S光的复反射率比值ρ：

ρ=r_p/r_s=tanψe^iΔ

其中，r_p为P光复反射率，r_s为S光复反射率，进而获得两个椭偏参数ψ与Δ；

获得椭偏参数ψ、Δ随温度的变化谱；

基于所述变化谱上的突变点确定纳米材料的相变点；

获取X射线衍射仪测定的每一所述相变点前后物质的变化情况，判断所述相变点是否为燃点，从而测量获得纳米材料的最终燃点。

8.根据所述权利要求7所述的纳米材料燃点测量系统，其特征在于，所述变温椭圆偏振光谱仪包括光源、固定起偏器、旋转起偏器、温控样品台、旋转检偏器和探测器，样品放置于温控样品台上，光源发射出的光依次经过固定起偏器、旋转起偏器后变为线偏光入射到样品上，光被样品反射后经过旋转检偏器，然后入射到探测器中完成信号探测，测量过程中通过温控样品台实现样品的温度控制。