[发明专利]基于钛酸锶/铝酸镧异质结的pH传感器及其制备方法有效
申请号: | 202010472254.9 | 申请日: | 2020-05-29 |
公开(公告)号: | CN111579609B | 公开(公告)日: | 2021-05-28 |
发明(设计)人: | 陈敦军;董燕;谢自力 | 申请(专利权)人: | 南京大学 |
主分类号: | G01N27/30 | 分类号: | G01N27/30 |
代理公司: | 江苏斐多律师事务所 32332 | 代理人: | 张佳妮 |
地址: | 210046 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 钛酸锶 铝酸镧异质结 ph 传感器 及其 制备 方法 | ||
本发明公开了一种基于钛酸锶/铝酸镧异质结的pH传感器,其结构包括:钛酸锶/铝酸镧异质结,以及蒸镀在LaAlO3层上的两块接触电极,接触电极下方的LaAlO3层被刻蚀掉,使得接触电极能直接接触到二维电子气,在两个接触电极之间留有感测区,感测区和接触电极之外的区域覆盖有保护层。本发明首次将氧化物异质结器件应用于溶液的pH值检测,器件采用无栅极单感测区设计,测试结果表明,器件对溶液pH值表现出良好的感测性能,且制备工艺简单,体积小,将在多领域具有广泛应用。
技术领域
本发明涉及一种基于钛酸锶/铝酸镧异质结的pH传感器及其制备方法。
背景技术
目前商用pH值传感器大多采用玻璃材料,强度低、稳定性差且难以小型化和集成化。研发基于二维电子气的固态半导体pH值传感器有望克服以上难点,处于当前相关领域的研究前沿。近年新发现的铝酸镧/钛酸锶(LaAlO3/SrTiO3)异质结二维电子气具有与GaN/AlGaN等半导体异质结相比拟的高迁移率和电场可控能力,且具有更高的化学稳定性和制备工艺简捷及无毒等优势,在电子器件应用方面的潜力巨大。LaAlO3/SrTiO3界面二维电子气对门控电场的强敏感性为其实现pH值探测提供了理论基础。本发明设计了基于LaAlO3/SrTiO3界面二维电子气的pH值传感器原型器件,有助于拓展氧化物异质结的应用领域,开发出经济方便、可集成度高、生物兼容性好的新型pH值传感器。
发明内容
本发明的目的在于提供一种基于钛酸锶/铝酸镧异质结的pH传感器,首次将氧化物异质结传感器应用于溶液pH值检测。
本发明的目的通过以下技术方案实现:
一种基于钛酸锶/铝酸镧异质结的pH传感器,其结构包括:
一SrTiO3衬底层;
一生长在SrTiO3衬底层上的LaAlO3薄膜层,所述LaAlO3薄膜层与SrTiO3衬底层之间形成二维电子气;
两块接触电极,所述接触电极位于LaAlO3层的两端;
其特征在于:接触电极下方的LaAlO3层被刻蚀掉,使得接触电极能直接接触到二维电子气,在两个接触电极之间留有感测区,感测区和接触电极之外的区域覆盖有保护层。
优选的,所述LaAlO3层为5~10个晶胞的厚度。
优选的,所述保护层为SiN、SiO2或Al2O3。
优选的,所述接触电极为Ti/Au。
本发明还公开了上述的基于钛酸锶/铝酸镧异质结的pH传感器的制备方法,其步骤包括:
(1)化学腐蚀法(BOE溶液快速腐蚀)处理(111)-SrTiO3,形成表面原子级平整的SrTiO3衬底;
(2)在SrTiO3衬底上外延生长表面原子级平整的LaAlO3薄膜层,厚度为5~10个原子厚度;
(3)对步骤(2)制得的外延片进行清洁,并在表面沉积SiN层;
(4)匀胶,曝光,显影,在外延片上形成电极图案;
(5)在带电极图案的外延片上应用RIE技术刻蚀掉电极区的SiN层和LaAlO3层;
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