[发明专利]一种CIS芯片扇出型封装方法有效
| 申请号： | 202010472471.8 | 申请日： | 2020-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN111627947B | 公开（公告）日： | 2023-09-01 |
| 发明（设计）人： | 秦飞;张理想;赵帅;陈沛;安彤;代岩伟;公颜鹏 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 刘萍 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 cis 芯片 扇出型 封装 方法 | ||
1.一种CIS芯片扇出型封装方法，其特征在于，包含如下步骤：
步骤1. 提供一制作有若干凹槽（101）的透明玻璃基板（1），所述凹槽内至少粘结一颗CIS芯片（2），且凹槽的深度与所述CIS芯片的厚度相当， CIS芯片的焊盘面（202）朝内；
步骤2. 通过涂布工艺，在所述透明玻璃基板（1）侧壁和所述CIS芯片（2）之间形成第一介质层（4）；
步骤3. 通过蚀刻工艺在所述CIS芯片（2）上形成第一开口（204），露出芯片的焊盘（201）；在所述透明玻璃基板（1）、所述CIS芯片（2）背面、以及第一开口（204）内通过气相沉积工艺制作第二介质层（5），并在所述第二介质层（5）上对应芯片的焊盘位置处制作介质层开口，露出芯片的焊盘（201）；
步骤4. 在第二介质层（5）上面制作至少一层连接所述芯片焊盘（201）的金属重布线（6），金属重布线的部分线路置于所述透明玻璃基板（1）上；
步骤5. 在最外层的金属重布线上制作一层钝化层（7），在该金属重布线上需要做凸点或植焊球的位置打开钝化层，形成钝化层开口（701）；
步骤6. 在钝化层开口内进行凸点制备或植焊球（8），最后切割，形成单颗埋入玻璃基体扇出型封装结构；
所述第一开口（204）为直孔或斜孔；
所述金属重布线为一层或多层，各层材质类型包括钛、铬、钨、铜、铝的一种或几种；
所述钝化层（7）为可光刻材料。
2.根据权利要求1所述的一种CIS芯片扇出型封装方法，其特征在于，所述CIS芯片和凹槽通过胶水或干膜黏结，粘结方式为部分填充或全部填充的一种。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
