[发明专利]控制钛和碳化硅颗粒充分反应的方法及其制备的铝基缸套

权利要求书

1.控制钛和碳化硅颗粒充分反应的方法，包括如下步骤：

在中频搅拌式电炉内设置电磁搅拌器，按质量百分比记，准备5％-20％的Si，余量为Al，在中频搅拌式电炉内均匀搅拌成混合物，中频搅拌式电炉升温至830℃-920℃后，将15％-40％混合物质量比的碳化硅粉或金刚石粉与25％-80％混合物质量比的氟钛酸钾粉加入中频搅拌式电炉中电磁搅拌10-50min，中频搅拌式电炉内形成熔液后对熔液进行扒渣，温度在720℃-780℃时在扒渣后的熔液中加入磷盐变质剂或磷铜变质剂或铝锶变质剂，然后用氮气，氩气进行处理5-15分钟，得到铝基铸造熔液。

2.根据权利要求1所述的控制钛和碳化硅颗粒充分反应的方法，其特征在于：所述电磁搅拌参数为额定功率500kw,交变电流频率为50-200Hz，搅拌角度0-100°，采用可控硅中频电源。

3.根据权利要求1所述的控制钛和碳化硅颗粒充分反应的方法，其特征在于：所述碳化硅粉的颗粒度为300μm-20μm，Si的质量百分比为20％，碳化硅粉的质量百分比为15％，氟钛酸钾粉的质量百分比为25％。

4.根据权利要求1所述的控制钛和碳化硅颗粒充分反应的方法及其制备的铝基缸套，其特征在于：所述中频搅拌式电炉升温温度为830℃，电磁搅拌时间50min，扒渣后熔液温度720℃。

5.根据权利要求2所述的控制钛和碳化硅颗粒充分反应的方法及其制备的铝基缸套，其特征在于：所述交变电流频率为50Hz，搅拌角度为100°。

6.一种使用如权利要求1所述的控制钛和碳化硅颗粒充分反应的方法制备的铝基缸套。

7.根据权利要求6所述的一种铝基缸套，其特征在于：所述的铝基缸套的毛坯采用离心铸造成型，离心铸造成型工艺参数包括模具温度250-350℃、离心转速2000-3500r/min和浇注温度680-800℃。

8.根据权利要求7所述的一种铝基缸套，其特征在于：所述的离心铸造成型工艺参数为模具温度300℃、离心转速2750r/min和浇注温度740℃。

9.根据权利要求7-8所述的一种铝基缸套，其特征在于：所述的铝基缸套的毛坯按照设计尺寸进行粗车、精车，然后珩磨、对缸套内壁运用溶质质量分数为3-12％的Na0H溶液蚀刻抛光处理，得到铝基复合型缸套。

10.根据权利要求9所述的一种铝基缸套，其特征在于：所述的Na0H溶液的溶质质量分数为7.5％。