[发明专利]用于跟踪受害者行的设备和方法

说明书

本申请涉及用于跟踪受害者行的设备和方法。受害者行的地址能够基于在存储器中存取的行而确定。受害者地址能够进行存储，并且与每次受害者行“受害”时的计数相关联。当受害者行的所述计数达到阈值时，所述受害者行能够进行刷新，以保留存储在所述行中的数据。在所述受害者行刷新之后，所述计数能够重设。在存取受害者行时，也能重设所述计数。较近受害者行(例如，+/‑1)的所述计数的调整速率可以快于较远受害者行(例如，+/‑2)的计数的调整速率。这可以使较近受害者行的刷新速率高于较远受害者行的刷新速率。

技术领域

本公开大体上涉及半导体装置，且更确切地说，涉及半导体存储器装置。具体地说，本公开涉及易失性存储器，例如动态随机存取存储器(DRAM)。

背景技术

信息可以作为物理信号(例如，电容元件上的电荷)存储在存储器的各个存储器单元上。存储器可以是易失性存储器，并且物理信号可以随时间推移而衰减(其可以降级或破坏存储在存储器单元中的信息)。可能需要通过例如重写存储器单元中的信息将物理信号恢复为初始值来周期性地刷新信息。

随着存储器组件的尺寸减小，存储器单元的密度大大增加。通常，存储器单元布置成阵列，其包含一系列称为字线的行和称为位线的列。可进行自动刷新操作，其中具有一或多个字线的存储器单元周期性地刷新以保留存储于存储器单元中的数据。对例如字线等特定存储器单元或存储器单元群组的重复存取可能会致使附近存储器单元(例如，邻近字线)中的数据降级速率增大。此重复存取常常称为‘行锤击(row hammer)’。为保留附近存储器单元中的数据，附近存储器单元的字线可能需要以高于自动刷新速率的速率进行刷新。可以对附近存储器单元执行目标刷新操作，但是目标刷新操作可能会以自动刷新操作为代价。由于自动刷新速率因为目标刷新操作而降低，数据降级可能会发生在不受行锤击影响的存储器单元中。增大自动刷新速率以补偿目标刷新可能会使存储器使用更多功率和/或可能会增加存储器存取操作(例如，读取、写入)之间的延迟。因此，希望最大程度地减少目标刷新操作。

发明内容

根据本申请的一方面，提供一种设备。所述设备包括：受害者行解码器电路，其配置成至少部分地基于行地址而确定受害者行地址；寄存器，其包含配置成存储所述受害者行地址的第一字段和配置成存储计数值的第二字段，其中所述计数值在每次所述受害者行解码器确定所述受害者行地址时进行调整；以及刷新地址产生器电路，其配置成提供所述受害者行地址，用于当所述计数值达到阈值时，在目标刷新间隔期间，在与所述受害者行地址相关联的受害者字线上进行刷新操作，其中所述计数值在所述刷新操作之后重设。

根据本申请的另一方面，提供一种设备。所述设备包括：受害者行解码器电路，其配置成至少部分地基于行地址而确定多个受害者行地址，其中所述多个受害者行地址对应于和与所述行地址相关联的侵害者字线物理上邻近的多个受害者字线；栈，其配置成在多个寄存器中存储所述多个受害者行地址，其中所述多个寄存器中的每个寄存器包含：第一字段，其配置成存储所述多个受害者行地址中的相应一个的受害者行地址；以及第二字段，其配置成存储与所述相应受害者行地址相关联的计数值，其中所述计数值在每次所述受害者行解码器确定所述相应受害者行地址时进行调整；以及刷新地址产生器电路，其配置成提供所述多个受害者行地址中的一个，用于当与所述多个受害者行地址中的所述一个相关联的所述计数值达到阈值时，在目标刷新操作间隔期间，在与所述多个受害者行地址中的所述一个相关联的受害者字线上执行刷新操作，其中所述计数值在所述目标刷新操作之后重设。

根据本申请的又一方面，提供一种方法。所述方法包括：接收与通过存储器操作存取的字线相关联的行地址；至少部分地基于所述行地址而确定第一受害者行地址；在寄存器中存储所述第一受害者行地址；在所述寄存器中存储与所述第一受害者行地址相关联的第一计数值；在每次确定所述第一受害者行地址时，以第一量调整所述第一计数值；当所述第一计数值达到阈值时，在目标刷新间隔期间，刷新与所述第一受害者行地址相关联的第一受害者字线；以及在刷新所述第一受害者字线之后，重设所述第一计数值。

附图说明