[发明专利]基于非线性晶体的快速偏振调制器

说明书

基于非线性晶体的快速偏振调制器，包括：非线性晶体，所述非线性晶体经两端通光面加电压时，光在其中传播的偏振态发生相应改变；透明电极，所述透明电极设在非线性晶体两端通光面上，在其上加电压时，非线性晶体内形成电场；连接线束，所述连接线束用于连通透明电极与控制电路。晶体采用纵向调制方式，可将晶体制成大口径、厚度较薄的结构，缩减调制器尺寸。利用非线性晶体的电光效应，通过外部施加驱动电压改变晶体的折射率，使其偏振状态发生改变；在偏振片后方放置检偏器，当出射光偏振态与检偏器要求的偏振态相同时光可以通过。电压信号施加在晶体两端的电极，并高频变化，从而达到快速光调制的效果，可将响应时间缩减到到纳秒或亚纳秒量级。

技术领域：

本发明涉及一种基于非线性晶体的快速偏振调制器。

背景技术：

随着光学技术的发展，各类光调制器件的需求日益增加，功能要求也越来越高，目前很多光调制器是利用某些晶体材料的旋光效应、克尔效应、普克尔斯效应、铁电效应等特殊性质来达到对光的振幅、相位、偏振态等的调制。

一般的基于晶体的光调制器多采用横向调制方式，这种调制方式所需的调制电压与晶体长度相关，因此，晶体通光方向的尺寸一般会做的比较长，致使整个调制器件体积较大，从而限制了整个光学系统的集成化和小型化。

发明内容：

本发明为了弥补现有技术的不足，提供了基于非线性晶体的快速偏振调制器，晶体采用纵向调制方式，可以将晶体制成大口径、厚度较薄的结构，缩减调制器的尺寸，将高频变化的电压信号施加在晶体两端，响应速度提高到了纳秒量级，解决了现有技术中存在的问题。

本发明为解决上述技术问题所采用的技术方案是：

基于非线性晶体的快速偏振调制器，包括：

非线性晶体，所述非线性晶体经两端通光面加电压时，光在其中传播的偏振态发生相应改变；

透明电极，所述透明电极设在非线性晶体两端通光面上，在其上加电压时，非线性晶体内形成电场；

连接线束，所述连接线束用于连通透明电极与控制电路。

所述非线性晶体包括但不限于磷酸二氘钾晶体。

所述透明电极包括但不限于导电镀膜。

所述连接线束分散成多根细线束与电极上多个点相连。

所述细线束包括但不限于细金线、细银线、细铜线、细铝线或氧化铟锡线。

所述细线束通过激光点焊或金丝球焊接的方式平均分布于电极上。

所述细线束紧密缠绕在电极上，再用导电胶条压紧。

所述通光面口径达30毫米以上。

本发明采用上述方案，具有如下有益效果：

晶体采用纵向调制方式，因此可以将晶体制成大口径、厚度较薄的结构，缩减调制器的尺寸。利用非线性晶体的电光效应，通过外部施加驱动电压改变晶体的折射率，使其偏振状态发生改变；如果在偏振片后方放置一检偏器，当出射光偏振态与检偏器要求的偏振态相同时光可以通过；当电极不加电压时，入射光偏振状态不改变，则不能通过检偏器。电压信号施加在晶体两端的电极，并高频变化，从而达到快速光调制的效果，可将响应时间缩减到到纳秒或亚纳秒量级。

附图说明：

图1为本发明的结构示意图。

图中，1、非线性晶体，2、透明电极，3、连接线束。

具体实施方式：

为能清楚说明本方案的技术特点，下面通过具体实施方式，并结合其附图，对本发明进行详细阐述。