[发明专利]一种用于纸基材料的光电探测器及其溶液法制备

权利要求书

1.一种用于纸基材料的光电探测器溶液法制备方法，其特征在于包括如下步骤：

步骤一：选择锡金属盐作为前驱体，溶于醇类溶剂并放置在磁力搅拌器搅拌48h后形成均一、澄清的溶液；然后分别向该溶液掺杂硅掺杂剂和镓掺杂剂配制SnO₂:Si前驱体溶液、SnO₂:Ga前驱体溶液；

步骤二：采用注射器和0.22μm口径的有机相针式过滤器过滤溶液，以去除溶液中的不溶物，避免薄膜表面杂质颗粒的生成；将过滤好溶液放置在超声处理器中超声处理；

步骤三：对ITO基板进行plasma处理，增强溶液在基板的浸润效果和粘附性；

步骤四：采用匀胶机在ITO基板上依次旋涂并退火处理制备SnO₂:Ga薄膜、SnO₂:Si薄膜；

步骤五：利用溅射、蒸镀或者印刷设备在SnO₂:Si薄膜上制备Al薄膜作为电极，完成基于SnO₂:Si/SnO₂:Ga同质结结构的近紫外光探测器制备。

2.根据权利要求1所述用于纸基材料的光电探测器溶液法制备方法，其特征在于：步骤一所述锡金属盐为二水合二氯亚锡或者五水合四氯化锡。

3.根据权利要求2所述用于纸基材料的光电探测器溶液法制备方法，其特征在于：步骤一所述醇类溶剂为无水乙醇或者乙二醇甲醚。

4.根据权利要求3所述用于纸基材料的光电探测器溶液法制备方法，其特征在于：步骤一所述醇类溶剂浓度为0.1～0.6mol/L。

5.根据权利要求4所述用于纸基材料的光电探测器溶液法制备方法，其特征在于：步骤一所述硅掺杂比例：10at.％-15at.％；镓掺杂比例：10at.％。

6.根据权利要求5所述用于纸基材料的光电探测器溶液法制备方法，其特征在于：步骤二所述超声处理时间为10～15min。

7.根据权利要求6所述用于纸基材料的光电探测器溶液法制备方法，其特征在于：步骤三所述plasma处理ITO基板的功率为100～150W，时间为6-12min。

8.根据权利要求7所述用于纸基材料的光电探测器溶液法制备方法，其特征在于：步骤四所述匀胶机旋涂转速为4500～6000rpm，时间为20～30s。

9.根据权利要求8所述用于纸基材料的光电探测器溶液法制备方法，其特征在于：步骤四所述退火处理过程中，退火温度为：250℃-350℃。

10.一种用于纸基材料的光电探测器，由权利要求1-9中任一项所述制备方法制得。