[发明专利]测试结构、测试方法以及半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构的测试结构，所述半导体结构具有半导体衬底，所述半导体衬底包括多个器件区域，所述器件区域之间具有切割沟道，所述器件区域设置有半导体器件，其特征在于，所述测试结构位于所述切割沟道中，所述测试结构包括：

相对设置的第一电极层和第二电极层；所述第一电极层具有第一测试电极和第二测试电极；所述第二电极层具有第三测试电极和第四测试电极；

位于所述第一电极层与所述第二电极层之间的绝缘层；所述绝缘层中具有测试通孔，所述测试通孔与所述第一电极层接触，与所述第二电极层不接触；

其中，所述第一测试电极与所述第三测试电极为第一测试电极组，用于测试第一电压，所述第二测试电极与所述第四测试电极为第二测试电极组，用于测试第二电压；所述第一电压与所述第二电压用于确定所述测试通孔是否偏移。

2.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述测试通孔包括：与所述第一测试电极接触的第一通孔；与所述第二测试电极接触的第二通孔；所述第一测试电极与所述第二测试电极为相同的第一梳齿电极，所述第一梳齿电极具有多条平行设置的第一条形电极；所述第一通孔与所述第一测试电极的第一条形电极接触，所述第二通孔与所述第二测试电极的第一条形电极接触；

所述第三测试电极与所述第四测试电极为相同的第二梳齿电极，所述第二梳齿电极具有多条平行设置的第二条形电极。

3.根据权利要求2所述的测试结构，其特征在于，在第一方向上，所述第二条形电极具有第一侧和第二侧；所述第二条形电极垂直于所述第一方向；

所述第一测试电极组中，每个所述第二条形电极对应一个第一通孔组，所述第一通孔组具有多个与所述第一条形电极一一对应的所述第一通孔，所述第一通孔位于所述第二条形电极的第一侧；

所述第二测试电极组中，每个所述第二条形电极对应一个第二通孔组，所述第二通孔组具有多个与所述第一条形电极一一对应的所述第二通孔，所述第二通孔位于所述第二条形电极的第二侧。

4.根据权利要求2所述的测试结构，其特征在于，所述第一条形电极平行于第一方向，所述是第二条形电极平行于第二方向，所述第一方向与所述第二方向垂直。

5.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述半导体器件具有第一金属部件和第二金属部件；所述第一金属部件与所述第一电极层材料相同，且同层；所述第二金属部件与所述第二电极层材料相同，且同层。

6.根据权利要求1-5任一项所述的测试结构，其特征在于，所述第一电极层位于所述半导体衬底与所述第二电极层之间；

或，所述第二电极层位于所述半导体衬底与所述第一电极层之间。

7.根据权利要求1-5任一项所述的测试结构，其特征在于，所述第一测试电极连接有第一测试端子，所述第二测试电极连接有第二测试端子，所述第三测试电极连接有第三测试端子，所述第四测试电极连接有第四测试端子；

所述第一测试端子与所述第三测试端子用于获取所述第一电压，所述第二测试端子与所述第四测试端子用于获取所述第二电压。

8.根据权利要求7所述的测试结构，其特征在于，所述第一测试端子与所述第二测试端子均与所述第一电极层同层，且均与所述第一电极层材料相同；所述第三测试端子与所述第四测试端子均与所述第二电极层同层，且均与所述第二电极层材料相同。

9.一种测试方法，其特征在于，所述测试方法包括：

在半导体衬底的一个表面形成半导体器件以及测试结构，所述测试结构如权利要求1-8任一项所述的测试结构，具有测试通孔、第一测试电极组和第二测试电极组；

将所述半导体衬底放置于测试机台上；

获取所述第一测试电极组的第一电压和所述第二测试电极组的第二电压；

基于所述第一电压和所述第二电压，确定所述测试通孔是否偏移。