[发明专利]一种新型n-Cu2在审

专利信息
申请号: 202010472820.6 申请日: 2020-05-29
公开(公告)号: CN111495365A 公开(公告)日: 2020-08-07
发明(设计)人: 郑倩;罗敏;曾祥华;夏炜炜;孙佳伟 申请(专利权)人: 扬州大学
主分类号: B01J23/72 分类号: B01J23/72;C25B1/04;C25B11/06
代理公司: 扬州苏中专利事务所(普通合伙) 32222 代理人: 沈志海
地址: 225009 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 新型 cu base sub
【权利要求书】:

1.一种新型n-Cu2O/CuO半导体光催化剂的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

(1)将FTO分别放入丙酮、乙醇和去离子水中超声10min去除其表面的油污和杂质,然后对FTO干燥待用;

(2)称量1g的Cu(NO3)·3H2O,在1g的Cu(NO3)·3H2O加入30mL去离子水搅拌至完全溶解,得到拌均匀的第一溶液;

(3)用移液枪在搅拌均匀的第一溶液中加入1.5mlNH3,搅拌均匀,得到第二溶液;

(4)充分反应后将该配置好的第二溶液移入反应釜中,将干燥后的FTO倾斜放入第二溶液中,在200℃烘箱中反应6-12h;

(5)在反应釜降至室温后将FTO取出用去离子水冲洗,干燥后移入马弗炉在300℃温度下退火2h,得到一种新型n-Cu2O/CuO半导体光催化剂。

2.根据权利要求1所述的一种新型n-Cu2O/CuO半导体光催化剂的制备方法,其特征在于,步骤(1)中,FTO的尺寸为1×1cm。

3.根据权利要求1所述的一种新型n-Cu2O/CuO半导体光催化剂的制备方法,其特征在于,步骤(2)中,用电子天平称量1g原料Cu(NO3)·3H2O,用量筒量取30mL去离子水,量筒在使用前用超声清洗机清洗干净。

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