[发明专利]高侧晶体管的驱动电路、开关电路、DC/DC转换器的控制器

权利要求书

1.一种驱动电路，其为N沟道或NPN型的高侧晶体管的驱动电路，其特征在于，包括：

电平移位电路，使输入信号上移，以及

缓冲器，根据所述电平移位电路的输出，驱动所述高侧晶体管；

所述电平移位电路包括：

脉冲发生器，生成与所述输入信号的上升沿相应的置位脉冲、与所述输入信号的下降沿相应的复位脉冲；

漏极开路电路，其包括：源极接地、根据置位脉冲而成为导通的第一晶体管，和源极接地、根据所述复位脉冲而成为导通的第二晶体管；

闩锁电路，包括被交叉耦合的第一晶体管和第二晶体管，响应所述漏极开路电路的输出地进行状态转变；以及

闩锁稳定化电路，被设置在高侧线和开关线之间，将所述闩锁电路的互补的第一节点和第二节点中的、与所述电平移位电路的输出相应的一者固定为低。

2.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，

所述闩锁稳定化电路从所述闩锁电路的互补的第一节点和第二节点中的、与所述电平移位电路的输出相应的一者灌电流。

3.根据权利要求1或2所述的驱动电路，其特征在于，

所述闩锁稳定化电路包括：

第一电流源，其在所述电平移位电路的输出为第一电平时成为导通，从所述闩锁电路的所述第一节点灌电流；以及

第二电流源，其在所述电平移位电路的输出为第二电平时成为导通，从所述闩锁电路的所述第二节点灌电流。

4.根据权利要求3所述的驱动电路，其特征在于，

所述第一电流源包括：

第一开关，其在所述电平移位电路的输出为第一电平时成为导通，

第一阻抗元件，与所述第一开关串联连接，

第一电流镜电路，复制所述第一阻抗元件中流动的电流，从所述第一节点灌电流；

所述第二电流源包括：

第二开关，其在所述电平移位电路的输出为第二电平时成为导通，

第二阻抗元件，与所述第二开关串联连接，以及

第二电流镜电路，复制所述第二阻抗元件中流动的电流，从所述第二节点灌电流。

5.根据权利要求4所述的驱动电路，其特征在于，

所述第一阻抗元件和所述第二阻抗元件是栅极与所述开关线连接的PMOS晶体管。

6.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，

所述闩锁稳定化电路包括：

第一可变阻抗元件，被设置在所述闩锁电路的互补的第一节点和第二节点中的一者与开关线之间，以及

第二可变阻抗元件，被设置在所述第一节点和第二节点中的另一者与所述开关线之间；

所述第一可变阻抗元件和所述第二可变阻抗元件的阻抗根据所述电平移位电路的输出而被互补地控制。

7.根据权利要求1或2所述的驱动电路，其特征在于，

所述电平移位电路还包括被设置在所述闩锁电路的后级的电平移位器兼闩锁电路；

所述电平移位器兼闩锁电路包括：

第一PMOS晶体管，源极与所述高侧线连接，栅极与所述第一节点连接，

第二PMOS晶体管，源极与所述高侧线连接，栅极与所述第二节点连接，

第三NMOS晶体管，漏极与所述第一PMOS晶体管的漏极连接，栅极与所述第一节点连接，

第四NMOS晶体管，漏极与所述第二PMOS晶体管的漏极连接，栅极与所述第二节点连接，

第五NMOS晶体管，漏极与所述第三NMOS晶体管的源极连接，栅极与所述第二PMOS晶体管的漏极连接，源极与所述开关线连接，以及

第六NMOS晶体管，漏极与所述第四NMOS晶体管的源极连接，栅极与所述第一PMOS晶体管的漏极连接，源极与所述开关线连接。

8.根据权利要求1或2所述的驱动电路，其特征在于，

所述电平移位电路还包括辅助电路，所述辅助电路响应所述置位脉冲而向所述第二节点注入辅助电流，响应所述复位脉冲而向所述第一节点注入辅助电流。